[發明專利]一種單晶圓棒少子壽命測試方法有效
| 申請號： | 201910204020.3 | 申請日： | 2019-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN109904092B | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 張紅霞;李建弘;梁宇飛;高建芳;李耀龍;栗鋼;李延彬;白建軍;王林;王建平 | 申請（專利權）人： | 內蒙古中環光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶圓棒 少子 壽命 測試 方法 | ||
1.一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述測試方法步驟為：
S1、在所述圓棒體柱面上選出被測位置；
S2、在所述被測位置上進行加工平面；
S3、在所述平面上進行機械打磨；
S4、清洗所述平面；
S5、采用少子壽命測試儀器對所述平面進行測試；
所述S1具體步驟為：
S11、在所述圓棒的體柱面上找出與所述圓棒軸向平行的四個棱線，并選出任一所述棱線；
S12、在沿所述棱線方向遠離所述圓棒尾部端面取第一距離；
S13、在所述第一距離范圍內，并垂直于所述棱線的截面上，在靠近所述棱線位置且置于相鄰所述棱線之間連接的圓弧面上取第二距離；
S14、所述被測位置設于所述第二距離范圍內。
2.根據權利要求1所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述第一距離為10-50mm。
3.根據權利要求1所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述第二距離小于相鄰所述棱線之間圓弧長度的1/2。
4.根據權利要求3所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述第二距離小于或等于相鄰所述棱線之間圓弧長度的1/3。
5.根據權利要求1-4任一項所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述S2包括在所述被測位置上磨出一平整平面，所述平面面積為3-8mm2。
6.根據權利要求5所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述S3具體步驟為：
S31、先在所述平面上進行粗磨拋光；
S32、再在所述平面上進行精磨拋光，直至表面有反光。
7.根據權利要求6所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述S31還包括用手持式打磨機在所述平面上進行打磨，所述打磨機所用砂輪粒度為80-120目，加工時間為2-5min。
8.根據權利要求6所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，所述S32還包括用手持式打磨機在所述平面上進行打磨，所述打磨機所用砂輪粒度為300-500目,加工時間為1-3min。
9.根據權利要求1-4、6-8任一項所述的一種單晶圓棒少子壽命測試方法，其特征在于，在所述S4包括用無塵紙沾酒精對所述平面進行擦拭，清洗表面灰塵。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
