[發明專利]一種雙面陶瓷厚膜電路的生產工藝有效
| 申請號： | 201910203906.6 | 申請日： | 2019-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN109769349B | 公開（公告）日： | 2021-08-13 |
| 發明（設計）人： | 周治華 | 申請（專利權）人： | 昆山福燁電子有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/00 | 分類號： | H05K3/00;H05K3/42;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 215300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙面 陶瓷 電路 生產工藝 | ||
1.一種雙面陶瓷厚膜電路的生產工藝，其特征在于，所述生產工藝包括以下步驟：
1)將陶瓷材料流延成陶瓷基片，所述陶瓷基片的厚度為0.375～1.5mm；
2)將步驟1)得到的陶瓷基片進行激光打孔；
3)將經步驟2)激光打孔后的陶瓷基片采用鈀銀漿進行負壓灌孔；所述負壓灌孔包括實心灌孔和/或空心灌孔；
所述實心灌孔的實心孔的內徑為0.8mm以下，實心灌孔的鈀銀漿的粘度為240～360Pa·s，所述實心灌孔的負壓為-40KPa～-80Kpa；
所述空心灌孔的空心孔的內徑為0.6～2.4mm，所述空心灌孔的鈀銀漿的粘度為100～180Pa·s，所述空心灌孔的負壓為-40KPa～-80Kpa；
4)將經步驟3)負壓灌孔的陶瓷基片的兩個面上經干燥、線路和/或電阻印刷、燒結、激光調阻后，得到所述雙面陶瓷厚膜電路，所述燒結的溫度為845～855℃，所述燒結的時間為1～3h。
2.根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于，步驟1)中，所述陶瓷材料為氮化鋁和/或氧化鋁。
3.根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于，步驟4)中，所述干燥的溫度為165～175℃，所述干燥的時間為0.5～1h。
4.根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于，所述生產工藝包括以下步驟：
1)將氮化鋁和/或氧化鋁材料流延成厚度為0.375～1.5mm陶瓷基片；
2)將步驟1)得到的陶瓷基片進行激光打孔；
3)將經步驟2)激光打孔后的陶瓷基片采用鈀銀漿進行-40KPa～-80KPa負壓灌孔；
4)將經步驟3)負壓灌孔的陶瓷基片的兩個面上經165～175℃干燥、線路和/或電阻印刷、845～855℃燒結、激光調阻后，得到所述雙面陶瓷厚膜電路。
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