[發(fā)明專利]諧振工藝監(jiān)視器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910203752.0 | 申請日: | 2019-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN110289228A | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | Y·潘;V·克里斯瓦桑;S·毛;K·陳;M·D·威爾沃思;A·薩布萊曼尼;A·戈埃爾;C-S·陸;P·A·克勞斯;P·J·泰伊;L·泰代斯基 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;錢慰民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 諧振 工藝監(jiān)視器 背板 開口 第二表面 第二電極 第一表面 第一電極 接觸框架 密封框架 主體密封 內(nèi)表面 限定空 | ||
本文所述的實(shí)施方式包括諧振工藝監(jiān)視器以及形成這種諧振工藝監(jiān)視器的方法。在一個實(shí)施方式中,諧振工藝監(jiān)視器包括框架,所述框架具有第一開口和第二開口。在一個實(shí)施方式中,諧振主體密封框架的第一開口。在一個實(shí)施方式中,在諧振主體的第一表面上的第一電極接觸框架,并且第二電極在諧振主體的第二表面上。實(shí)施方式還包括背板,所述背板密封框架的第二開口。在一個實(shí)施方式中,背板機(jī)械地耦接到框架,并且諧振主體、背板和框架的內(nèi)表面限定空腔。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,并且具體來說,涉及用于對腔室性能進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測中的諧振工藝監(jiān)視器。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制造中,需要密切分析腔室性能,以便確保高產(chǎn)率、腔室匹配、工藝均勻性等。目前,腔室性能是由從腔室獲得的輸出來確定(即,檢查經(jīng)處理的基板以確定腔室是否正確地運(yùn)作)。此外,可能在腔室處理一定數(shù)量的基板之后使腔室離線以進(jìn)行清潔或校準(zhǔn)。
半導(dǎo)體制造工具還可以包括消耗性產(chǎn)品。例如,邊緣環(huán)和工藝環(huán)通常是需要周期性地被替換的消耗性產(chǎn)品。由于使工具離線來進(jìn)行維護(hù)是昂貴的,因此知道消耗性部件的可用壽命是重要的。過早替換消耗性部件導(dǎo)致增加的停機(jī)時間。過遲替換消耗性部件導(dǎo)致不良的腔室性能。
發(fā)明內(nèi)容
本文所述的實(shí)施方式包括諧振工藝監(jiān)視器以及形成這種諧振工藝監(jiān)視器的方法。在一個實(shí)施方式中,諧振工藝監(jiān)視器包括框架,所述框架具有第一開口和第二開口。在一個實(shí)施方式中,諧振主體密封框架的第一開口。在一個實(shí)施方式中,在諧振主體的第一表面上的第一電極接觸框架,并且第二電極在諧振主體的第二表面上。實(shí)施方式還包括背板,所述背板密封框架的第二開口。在一個實(shí)施方式中,背板機(jī)械地耦接到框架,并且諧振主體、背板和框架的內(nèi)表面限定空腔。
額外實(shí)施方式包括處理工具,所述處理工具包括諧振工藝監(jiān)視器。在一個實(shí)施方式中,處理工具可包括腔室、基座和圍繞所述基座的邊緣環(huán)。在一個實(shí)施方式中,諧振工藝監(jiān)視器可整合在腔室的壁中或整合在邊緣環(huán)中。在一個實(shí)施方式中,諧振工藝監(jiān)視器可包括框架,所述框架具有第一開口和第二開口。在一個實(shí)施方式中,諧振主體密封框架的第一開口。在一個實(shí)施方式中,在諧振主體的第一表面上的第一電極接觸框架,并且第二電極在諧振主體的第二表面上。實(shí)施方式還包括背板,所述背板密封框架的第二開口。在一個實(shí)施方式中,背板機(jī)械地耦接到框架,并且諧振主體、背板和框架的內(nèi)表面限定空腔。
額外實(shí)施方式包括一種形成諧振工藝監(jiān)視器的方法。在一個實(shí)施方式中,所述方法可包括使諧振主體上的第一電極與框架接觸。在一個實(shí)施方式中,諧振主體密封框架中的第一開口。實(shí)施方式隨后可繼續(xù)使接觸組件的第一端與諧振主體上的第二電極接觸。在一個實(shí)施方式中,接觸組件的第二端由背板支撐。其后,實(shí)施方式可包括將背板固定到框架。在一個實(shí)施方式中,背板密封框架中的第二開口。在一個實(shí)施方式中,諧振主體、背板和框架的內(nèi)側(cè)壁限定空腔。實(shí)施方式隨后可包括在第一電極的至少一部分之上形成阻擋層。
附圖說明
圖1A是根據(jù)一個實(shí)施方式的具有形成在第一電極的表面之上的阻擋層和框架的諧振工藝監(jiān)視器的截面圖。
圖1B是根據(jù)一個實(shí)施方式的諧振工藝監(jiān)視器的框架的截面圖。
圖1C是根據(jù)一個實(shí)施方式的具有主要形成在第一電極的表面之上的阻擋層的諧振工藝監(jiān)視器的截面圖。
圖1D是根據(jù)一個實(shí)施方式的不具有阻擋層的諧振工藝監(jiān)視器的截面圖。
圖2A是根據(jù)一個實(shí)施方式的基座和包括諧振工藝監(jiān)視器的邊緣環(huán)的截面圖。
圖2B是根據(jù)一個實(shí)施方式的基座和具有多個諧振工藝監(jiān)視器的邊緣環(huán)的平面圖。
圖3是根據(jù)一個實(shí)施方式的包括被整合到腔室的側(cè)壁中的諧振工藝監(jiān)視器的處理工具的示意圖。
圖4是根據(jù)一個實(shí)施方式的用于制造諧振工藝監(jiān)視器的工藝的工藝流程圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





