[發(fā)明專利]諧振工藝監(jiān)視器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910203752.0 | 申請日: | 2019-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN110289228A | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | Y·潘;V·克里斯瓦桑;S·毛;K·陳;M·D·威爾沃思;A·薩布萊曼尼;A·戈埃爾;C-S·陸;P·A·克勞斯;P·J·泰伊;L·泰代斯基 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;錢慰民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 諧振 工藝監(jiān)視器 背板 開口 第二表面 第二電極 第一表面 第一電極 接觸框架 密封框架 主體密封 內表面 限定空 | ||
1.一種諧振工藝監(jiān)視器,包括:
框架,其中所述框架包括第一開口和第二開口;
諧振主體,所述諧振主體密封所述框架的所述第一開口,其中在所述諧振主體的第一表面上的第一電極接觸所述框架,并且其中第二電極在所述諧振主體的第二表面上;和
背板,所述背板密封所述框架的所述第二開口,其中所述背板機械地耦接到所述框架,其中所述諧振主體、所述背板、以及所述框架的內表面限定空腔。
2.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,進一步包括阻擋層,所述阻擋層在所述第一電極的至少一部分上,并且其中所述阻擋層是抗蝕刻涂層。
3.如權利要求2所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述阻擋層包括以下各項中的一種或多種:Y2O3、Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3或它們的組合;或Y-O-N、Al-O-N、Hf-O-N、Zr-O-N、La-O-N的所述氮化物或它們的組合;或Y-O-F、Al-O-F、Hf-O-F、Zr-O-F、La-O-F的所述氟化物或它們的組合;或AlN;或一種或多種阻擋層材料的堆疊。
4.如權利要求2所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述阻擋層覆蓋通過所述框架的所述第一開口可見的所述第一電極的整個部分。
5.如權利要求4所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述阻擋層形成在所述框架的部分之上。
6.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述空腔被氣密地密封。
7.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,進一步包括:
接觸組件,所述接觸組件從所述背板延伸到所述第二電極,其中將沿著所述接觸組件的軸向力施加到所述第二電極。
8.如權利要求7所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述軸向力小于10N。
9.如權利要求7所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述軸向力抵靠所述框架固定所述第一電極。
10.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述第一電極擴散接合到所述框架。
11.如權利要求2所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述阻擋層具有小于200μm的厚度。
12.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,其中所述諧振主體是石英、藍寶石、硅、鍺或鋯鈦酸鉛中的一種。
13.如權利要求1所述的諧振工藝監(jiān)視器,進一步包括:
頻率電橋,所述頻率電橋電耦接在所述第一電極與所述第二電極之間,并且其中所述第一電極電耦接到接地電位。
14.一種處理工具,包括:
腔室;
基座;
邊緣環(huán),所述邊緣環(huán)圍繞所述基座;和
諧振工藝監(jiān)視器,包括:
框架,其中所述框架包括第一開口和第二開口;
諧振主體,所述諧振主體密封所述框架的所述第一開口,其中在所述諧振主體的第一表面上的第一電極接觸所述框架,并且其中第二電極在所述諧振主體的第二表面上;和
背板,所述背板密封所述框架的所述第二開口,其中所述背板機械地耦接到所述框架,其中所述諧振主體、所述背板、以及所述框架的內表面限定空腔。
15.如權利要求14所述的處理工具,其中所述諧振工藝監(jiān)視器進一步包括阻擋層,所述阻擋層在所述第一電極的至少一部分上。
16.如權利要求14所述的處理工具,其中所述諧振工藝監(jiān)視器被整合到所述邊緣環(huán)中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





