[發明專利]電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件與電子封裝結構

有效

• 申請號: 201910203237.2
• 申請日: 2019-03-18
• 公開（公告）號: CN111726976B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 方皓葦;錢明谷;吳家鈺
• 申請（專利權）人: 禾達材料科技股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁麗超

本發明公開一種電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件與電子封裝結構。電磁波屏蔽件可被應用于傳輸線組件以及電子封裝結構中，以屏蔽電磁波噪聲。電磁波屏蔽件包括一量子阱結構，其中，量子阱結構包括至少兩個阻擋層以及位于兩個阻擋層之間的至少一載流子限制層，且每一阻擋層的厚度范圍是由0.1nm至500nm，且所述載流子限制層的厚度范圍是由0.1nm至500nm。本發明提供的電磁波屏蔽件可吸收電磁波噪聲以抑制電磁干擾。

技術領域

本發明涉及一種電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件與電子封裝結構，特別是涉及一種可在高頻信號傳輸時有效抑制串擾的電磁波屏蔽件以及應用其的傳輸線組件與電子封裝結構。

背景技術

近年來，隨著電子產品朝向輕薄短小的趨勢發展，高頻與高速的信號傳輸需求，電子產品內的各個芯片(如：無線通信芯片)之間，以及應用于傳輸高頻信號的纜線內部的傳輸導線的配置也越來越密集。

據此，當芯片在高頻下操作時，芯片所產生的電磁波很容易對其他芯片造成電磁干擾。相似地，當高頻信號通過纜線內部的傳輸線傳遞時，兩相鄰的傳輸線之間很容易因為電磁波的耦合或者漫射而相互串擾(Crosstalk)。在現有技術手段中，通常會將金屬屏蔽層覆蓋于芯片外部或者是覆蓋在用以傳輸高頻信號的纜線，以防止電磁干擾。

然而，利用此方式只能減少來自金屬屏蔽層外部的干擾，卻會產生其他干擾。具體而言，金屬屏蔽層雖然能吸收低頻電磁波，卻會反射高頻電磁波。因此，被金屬屏蔽層所包覆的傳輸線所產生的高頻電磁波并不會被金屬屏蔽層吸收，而是會被反射并成為信號傳輸的噪聲。

發明內容

本發明所要解決的其中一技術問題在于，提供一種電磁波屏蔽件，以減少電磁波噪聲，特別是高頻的電磁波噪聲，對信號傳輸線所造成的串擾。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種電磁波屏蔽件。電磁波屏蔽件包括至少一量子阱結構。量子阱結構包括兩個阻擋層以及位于兩個阻擋層之間的一載流子限制層。每一阻擋層的厚度范圍是由0.1nm至500nm，且載流子限制層的厚度介于0.1nm至500nm之間。

優選地，電磁波屏蔽件還包括：一基底層，量子阱結構設置于基底層上。

優選地，基底層包括一隔離層，隔離層的厚度介于1μm至500μm之間，隔離層的材料選自由聚酰亞胺(polyimide；PI)、聚乙烯(polyethylene；PE)、聚丙烯(polypropylene；PP)、環氧樹脂(Epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl?methacrylate)；PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene?terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚碳酸酯(polycarbonates；PC)、聚醚砜(polyether?sulfone；PES)、聚芳基酸酯(polyarylate)以及液晶高分子(liquid?crystal?polymer；LCP)及其任意組合所組成的群組中的至少一者。

優選地，基底層還包括一導電層，導電層與隔離層位于量子阱結構的相同側，且導電層的厚度介于0.01μm至500μm之間。

優選地，導電層的材料選自由金、銀、銅、鐵、鋅、鉛、鈷、鉻、鋁、鎳及其任意組合所組成的群組中的任一者或其合金。

優選地，隔離層位于導電層與量子阱結構之間。

優選地，阻擋層的材料為氧化物、氮化物、氮氧化物或其任意組合。

優選地，載流子限制層的材料為半導體、金屬、合金或其任意組合。

優選地，每一阻擋層的導電帶與相鄰的載流子限制層的導電帶之間所形成的能隙差值至少0.2eV。