[發(fā)明專利]電磁波屏蔽件以及應(yīng)用其的傳輸線組件與電子封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910203237.2 | 申請日: | 2019-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN111726976B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方皓葦;錢明谷;吳家鈺 | 申請(專利權(quán))人: | 禾達材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 梁麗超 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁波 屏蔽 以及 應(yīng)用 傳輸線 組件 電子 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種電磁波屏蔽件,其特征在于,所述電磁波屏蔽件包括一量子阱結(jié)構(gòu),其中,所述量子阱結(jié)構(gòu)包括至少兩個阻擋層以及位于兩個所述阻擋層之間的至少一載流子限制層,每一所述阻擋層的厚度介于0.1nm至500nm之間,且所述載流子限制層的厚度介于0.1nm至500nm之間;其中,所述量子阱結(jié)構(gòu)還包括位于兩層所述阻擋層之間的另一載流子限制層;其中,至少兩個所述阻擋層或者至少兩個所述載流子限制層分別具有不同的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述電磁波屏蔽件還包括:一基底層,所述量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述基底層上。
3.如權(quán)利要求2所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述基底層包括一隔離層,所述隔離層的厚度介于1μm至500μm之間,所述隔離層的材料選自由聚酰亞胺、聚乙烯、聚丙烯、環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳基酸酯以及液晶高分子及其任意組合所組成的群組中的至少一者。
4.如權(quán)利要求3所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述基底層還包括一導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層與所述隔離層位于所述量子阱結(jié)構(gòu)的相同側(cè),且所述導(dǎo)電層的厚度介于0.01μm至500μm之間。
5.如權(quán)利要求4所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述導(dǎo)電層的材料選自由金、銀、銅、鐵、鋅、鉛、鈷、鉻、鋁、鎳及其任意組合所組成的群組中的任一者或其合金。
6.如權(quán)利要求4所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述隔離層位于所述導(dǎo)電層與所述量子阱結(jié)構(gòu)之間。
7.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述阻擋層的材料為氧化物、氮化物、氮氧化物或其任意組合。
8.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述載流子限制層的材料為半導(dǎo)體、金屬、合金或其任意組合。
9.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,每一所述阻擋層的導(dǎo)電帶與相鄰的所述載流子限制層的導(dǎo)電帶之間所形成的能隙差值至少0.2eV。
10.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,所述量子阱結(jié)構(gòu)為多重量子阱結(jié)構(gòu),所述多重量子阱結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的多個所述阻擋層以及多個所述載流子限制層,多個所述阻擋層包括一外側(cè)阻擋層以及一內(nèi)側(cè)阻擋層,且多個所述載流子限制層都位于所述外側(cè)阻擋層與所述內(nèi)側(cè)阻擋層之間。
11.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,至少兩個所述阻擋層或者至少兩個所述載流子限制層的材料不同。
12.如權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽件,其特征在于,兩層所述載流子限制層彼此直接連接,且分別具有不同的能隙寬度。
13.一種傳輸線組件,其特征在于,所述傳輸線組件包括:
一導(dǎo)線組,其包括至少一導(dǎo)線以及包覆所述導(dǎo)線的一絕緣層;以及
一電磁波屏蔽件,其設(shè)置在所述導(dǎo)線組上,所述電磁波屏蔽件包括一量子阱結(jié)構(gòu),其中,所述量子阱結(jié)構(gòu)包括至少兩個阻擋層以及位于兩個所述阻擋層之間的至少一載流子限制層;
其中,所述量子阱結(jié)構(gòu)還包括位于兩層所述阻擋層之間的另一載流子限制層;
其中,至少兩個所述阻擋層或者至少兩個所述載流子限制層分別具有不同的厚度。
14.如權(quán)利要求13所述的傳輸線組件,其特征在于,所述電磁波屏蔽件還包括一基底層,所述量子阱結(jié)構(gòu)位于所述基底層與所述導(dǎo)線組之間。
15.如權(quán)利要求14所述的傳輸線組件,其特征在于,所述基底層包括一隔離層以及一導(dǎo)電層,且所述隔離層位于所述量子阱結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電層之間。
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