[發(fā)明專利]改良的鰭式場效晶體管(FinFET)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910198615.2
• 申請日: 2019-03-15
• 公開（公告）號: CN110556426B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 臧輝;王振裕;L·埃克諾米科思
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;B82Y10/00
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種晶體管裝置，包含：

第一對鰭片與第二對鰭片，在一氧化物層中，其中，該第一對鰭片及該第二對鰭片包含硅(Si)；以及

柵極切割(CT)柱，包含在該第一對鰭片及該第二對鰭片之間且在該氧化物層的一部分上方的氮化硅(SiN)，其中，該CT柱的寬度與該CT柱、該第一對鰭片及該第二對鰭片之間的距離成反比；

其中，該CT柱的底部的寬度小于該CT柱的上半部的寬度；及

其中，該CT柱的該底部包含數(shù)個(gè)側(cè)壁間隔件，且該CT柱的上半部不包含該數(shù)個(gè)側(cè)壁間隔件。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中，該CT柱有12納米至40納米的寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中，該CT柱的該底部有8納米至30納米的寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中，該CT柱與該第一對鰭片及該第二對鰭片之間的距離為10納米至35納米。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管裝置，其中，該側(cè)壁間隔件有2納米至6納米的寬度。

6.一種制造晶體管的方法，包含：

提供在一氧化物層中的第一對鰭片與第二對鰭片，其中，該第一對鰭片及該第二對鰭片包含硅(Si)；以及

形成一柵極切割(CT)柱，包含在該第一對鰭片及該第二對鰭片之間且在該氧化物層的一部分上方的氮化硅(SiN)，其中，用以下步驟形成該CT柱：

在該第一對鰭片及該第二對鰭片和該氧化物層上方提供一多晶硅(Poly-Si)柵極；

在該多晶硅柵極上方提供一硬掩模；

通過該硬掩模，移除該多晶硅柵極的第一部分，而形成一空腔；

在該多晶硅柵極上方且沿著該空腔的側(cè)壁，形成一間隔件；

移除該間隔件及該多晶硅柵極的一部分向下到該氧化物層，而形成一溝槽；

在該溝槽及該空腔中形成一氮化硅(SiN)層，該SiN層的上表面與該硬掩模的上表面實(shí)質(zhì)共面；

平坦化該SiN層與該硬掩模向下到該多晶硅柵極；

移除該多晶硅柵極的第二部分，而暴露該間隔件；

移除該間隔件；以及

移除該多晶硅柵極的第三部分，由此形成該CT柱；

其中，該CT柱的寬度與該CT柱、該第一對鰭片及該第二對鰭片之間的距離成反比。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包含：

沿著該溝槽的下半部的側(cè)壁形成一第二間隔件，該第二間隔件縮減該溝槽的該下半部的寬度。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，移除該多晶硅柵極的該第二部分的步驟進(jìn)一步包含：

暴露該第二間隔件的一部分；以及

移除該第二間隔件的該暴露部分。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，移除該多晶硅柵極的該第三部分的步驟進(jìn)一步包含：

暴露該第二間隔件的其余部分；以及

移除其余的該第二間隔件的一部分。

10.如權(quán)利要求6所述的方法，包含：形成該CT柱到有12納米至40納米的寬度。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該CT柱的底部有小于上半部的寬度。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，包含：形成該CT柱的該底部到有8納米至30納米的寬度。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該CT柱與該第一對鰭片及該第二對鰭片之間的距離為10納米至35納米。

14.如權(quán)利要求7所述的方法，包含：通過氧化形成該間隔件及該第二間隔件到有與該SiN層的該寬度成正比的厚度。