[發明專利]一種陣列基板、陣列基板的制程方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201910193986.1 | 申請日: | 2019-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN109935602B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發明(設計)人: | 卓恩宗;楊鳳云 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板、陣列基板的制程方法和顯示裝置,制程方法包括步驟:提供一基底,在基底上依次形成的柵極,絕緣層,第一半導體層和歐姆接觸層;在歐姆接觸層上方依次沉積第二金屬層材料和第二半導體層材料;使用半色調掩膜形成第一光阻部,并形成第二光阻部;基于第一光阻部形成位于歐姆接觸層上方的源極層和漏極層,同時基于第二光阻部形成光感半導體層以及位于光感半導體層和絕緣層之間的光感金屬層;將第一光阻部和第二光阻部蝕刻清除,并在源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層;同時在光感半導體層的上方依次形成光感鈍化層和光感透明電極層。本申請使得顯示面板在不增加制程情況下,實現光感應功能。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板、陣列基板的制程方法和顯示裝置。
背景技術
隨著科技的發展和進步,液晶顯示器由于具備機身薄、省電和輻射低等熱點而成為顯示器的主流產品,得到了廣泛應用。現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的基板當中放置液晶分子,并在兩片基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向,以將背光模組的光線折射出來產生畫面。
而為了能夠讓顯示面板能夠感知外界的光線強弱而進行自主調節亮度和對比度,在某些顯示面板中設置了光傳感器,但是設置光傳感器增加了光罩制程,降低了生產效率。
應該注意,上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明,并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板及其制程方法和顯示裝置,以使得顯示面板具有光感應功能的同時,避免光罩制程的增加。
本發明公開了一種陣列基板的制程方法,包括步驟:
提供一基底,基底包括主動開關區域和光傳感器區域,在基底上對應主動開關區域依次形成的柵極,絕緣層,第一半導體層和歐姆接觸層;
在歐姆接觸層上方依次沉積第二金屬層材料和第二半導體層材料,以覆蓋主動開關區域和光傳感器區域;
使用半色調掩膜,對應主動開關區域形成位于第二半導體層材料上方的第一光阻部,并對應光傳感器區域形成位于絕緣層上方的第二光阻部;
基于第一光阻部,對應主動開關區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成位于歐姆接觸層上方的源極層和漏極層,同時,基于第二光阻部,對應光傳感器區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成光感半導體層以及位于光感半導體層和絕緣層之間的光感金屬層;
將第一光阻部和第二光阻部蝕刻清除,并在源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層以得到主動開關;同時,在光感半導體層的上方依次形成光感鈍化層和光感透明電極層以得到光感傳感器。
可選的,所述半色調掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部;所述使用半色調掩膜,對應主動開關區域形成位于第二半導體層材料上方的第一光阻部,并對應光傳感器區域形成位于絕緣層上方的第二光阻部的步驟包括:
使用半色調掩膜,形成位于歐姆接觸層上方的第一光阻側部、光阻中部和第二光阻側部以得到第一光阻部,同時,形成位于絕緣層上方的第二光阻部;
其中,所述光阻中部的光阻厚度為第一厚度,所述第一光阻側部和第二光阻側部的光阻厚度為第二厚度,所述第二光阻部的光阻厚度為第三厚度;所述第一厚度小于第二厚度,所述第二厚度小于第三厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





