[發明專利]一種陣列基板、陣列基板的制程方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201910193986.1
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號: CN109935602B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 卓恩宗;楊鳳云
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種陣列基板的制程方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基底，基底包括主動開關區域和光傳感器區域，在基底上對應主動開關區域依次形成的柵極，絕緣層，第一半導體層和歐姆接觸層；

在歐姆接觸層上方依次沉積第二金屬層材料和第二半導體層材料，以覆蓋主動開關區域和光傳感器區域；

使用半色調掩膜，對應主動開關區域形成位于第二半導體層材料上方的第一光阻部，并對應光傳感器區域形成位于第二半導體層上方的第二光阻部；

基于第一光阻部，對應主動開關區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成位于歐姆接觸層上方的源極層和漏極層，同時，基于第二光阻部，對應光傳感器區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成光感半導體層以及位于光感半導體層和絕緣層之間的光感金屬層；

將第一光阻部和第二光阻部蝕刻清除，并在源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層以得到主動開關；同時，在光感半導體層的上方依次形成光感鈍化層和光感透明電極層以得到光感傳感器；

所述半色調掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部；

所述使用半色調掩膜，對應主動開關區域形成位于第二半導體層材料上方的第一光阻部，并對應光傳感器區域形成位于絕緣層上方的第二光阻部的步驟包括：

使用半色調掩膜，形成位于歐姆接觸層上方的第一光阻側部、光阻中部和第二光阻側部以得到第一光阻部，同時，形成位于第二半導體層上方的第二光阻部；

其中，所述光阻中部的光阻厚度為第一厚度，所述第一光阻側部和第二光阻側部的光阻厚度為第二厚度，所述第二光阻部的光阻厚度為第三厚度；所述第一厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第三厚度；

所述基于第一光阻部，對應主動開關區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成直接位于歐姆接觸層上方的源極層和漏極層，同時，基于第二光阻部，對應光傳感器區域蝕刻第二半導體層材料和第二金屬層材料形成光感半導體層以及位于光感半導體層和絕緣層之間的光感金屬層的步驟包括：

蝕刻第二半導體層材料形成位于第一光阻部下方的第二半導體層，并形成位于第二光阻部下方的光感半導體層；

蝕刻第二金屬層材料形成位于第二半導體層下方的第二金屬層，以及位于光感半導體層下方的光感金屬層；

蝕刻第一光阻部和第二光阻部，使得光阻中部完全蝕刻，而第一光阻側部、第二光阻側部和第二光阻部不完全蝕刻；

蝕刻第二半導體層使得第二半導體層形成對應光阻中部鏤空，并蝕刻第二金屬層形成溝道以及位于第一光阻側部和第二光阻側部下方的源極層和漏極層；

蝕刻歐姆接觸層使得歐姆接觸層對應溝道處鏤空，使得歐姆接觸層形成分別對應源極層和漏極層的兩個部分；

蝕刻第一光阻部和第二光阻部，使得第一光阻側部和第二光阻側部完全蝕刻，同時第二光阻部不完全蝕刻；

完全蝕刻清除第二半導體層，同時，保留對應第二光阻部的光感半導體層。

2.如權利要求1所述的一種陣列基板的制程方法，其特征在于，所述將第一光阻部和第二光阻部蝕刻清除，并在源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層以得到主動開關；同時，在光感半導體層的上方依次形成光感鈍化層和光感透明電極層以得到光感傳感器的步驟包括：

蝕刻第二光阻部，使得第二光阻部完全蝕刻清除；

在源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層，形成的透明電極層通過過孔連接于漏極層；同時，在光感半導體層的上方依次形成光感鈍化層和光感透明電極層，形成的光感鈍化層對應光感半導體層的中部設置有鏤空部，光感透明電極層通過鏤空部連通于光感半導體層。