[發明專利]光元件用基板及其制造方法和光元件封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 201910192220.1
• 申請日: 2019-03-14
• 公開（公告）號: CN110311019A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 安范模;樸勝浩;宋臺煥
• 申請（專利權）人: 普因特工程有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/10;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 汪麗紅

本發明涉及一種光元件用基板、光元件封裝體、光元件用基板的制造方法及光元件封裝體的制造方法，尤其涉及一種可防止光反射效率下降，并且誘導所安裝的光元件進行自對準而提高光元件的安裝精確度的光元件用基板、光元件封裝體、光元件用基板的制造方法及光元件封裝體的制造方法。

技術領域

本發明涉及一種光元件用基板、光元件封裝體、光元件用基板的制造方法及光元件封裝體的制造方法，尤其涉及一種在安裝光元件時防止光元件偏斜的光元件用基板、光元件封裝體、光元件用基板的制造方法及光元件封裝體的制造方法。

背景技術

光元件封裝體是指安裝光元件而產生光的裝置。在此情況下，光元件是指接收電信號而產生光的元件。這種光元件中的發光二極管(LED，Light Emitting Diode)不僅效率高于現有的光元件，而且可產生高亮度的光，因此廣泛地使用在顯示器領域。光元件封裝體可在光元件用基板設置光元件等而制造。本說明書的光元件包括紅外線LED、可見光LED及紫外線LED。

以往，形成有垂直絕緣層的金屬基板可通過如下方式形成：例如，在交替地積層(或形成)金屬基板與絕緣層的狀態下，以特定長度(寬度)為單位上下進行切割。作為這種形成有垂直絕緣層的金屬基板的材料，可使用導熱率及導電率良好的鋁、銅或包括其中一種以上的合金等。進而，在形成有垂直絕緣層的金屬基板的上部面形成有通過機械加工或化學蝕刻等形成的上寬下窄形狀的空腔。另一方面，為了提高在光元件中產生的光的反射性能或接合性能，在空腔周邊與金屬基板的上表面，通過電解鍍覆方式、無電解鍍覆方式或濺鍍方式形成有金屬鍍覆層、例如鍍銀(Ag)層，在空腔內的鍍銀層上部的一部分表面，通過Ag環氧樹脂接著劑接合有光元件。

上述構造的Ag環氧樹脂的導電性與接合特性良好，但導熱率相對較低，因此在安裝有高功率光元件的封裝體中產生熱阻而作為使封裝體整體的散熱特性下降的因素發揮作用，故而導致縮短光元件的壽命的結果。進而，如果光元件為較可見光區域的光元件產生更多的熱的紫外線LED，則如上所述的問題更突出。

為了解決如上所述的問題，本案申請人在韓國注冊專利第10-1373710號(以下，稱為“現有發明”)中發明了進行Au/Sn焊接而接合光元件芯片的制造方法及構造。現有發明至少包括如下步驟：形成一個以上的空腔的步驟，所述空腔包括凹槽，其到達由一個以上的垂直絕緣層電分離的金屬基板的特定深度，在底部包含一個以上的垂直絕緣層；對除形成在各空腔內的金屬基板的上部的一部分表面以外的所有面進行蔭罩處理的步驟；去除形成在未進行蔭罩處理的所述一部分表面的氧化膜的步驟；分別在去除氧化膜的所述一部分表面沉積電極層的步驟；去除所述蔭罩的步驟；在所述電極層上進行Au/Sn焊接而接合光元件芯片的步驟；以及通過導線將以所述各垂直絕緣層為基準而位于一側金屬基板上的所述光元件的一電極與位于所述各垂直絕緣層的另一側的金屬基板打線接合的步驟。

然而，現有發明在利用蔭罩將電極層形成為島嶼形態的方面存在如下問題：在以較深的深度形成空腔的情況下，在提高形成島嶼形態的電極層的精確度方面存在極限，由于僅在一部分形成電極層，因此在提高光反射效率方面存在極限。

如上所述，在將光元件安裝到以往的光元件封裝體時，存在產生難以將光元件精確地安裝到準確位置的問題的情況，為了精確地定位光元件而產生光反射效率下降的問題，因此需在防止光反射效率下降的同時，使光元件的安裝位置變精確。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

(專利文獻1)韓國注冊專利第10-1373710號

發明內容

[發明要解決的問題]

本發明是為了解決上述問題而提出，其目的在于提供一種可防止光反射效率下降，并且誘導所安裝的光元件進行自對準(self-align)而提高光元件的安裝精確度的光元件用基板、光元件封裝體、光元件用基板的制造方法及光元件封裝體的制造方法。