[發明專利]柔性復合膜和其制造方法在審
| 申請號: | 201910188809.4 | 申請日: | 2019-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111697093A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 范靜;相飛;張春來 | 申請(專利權)人: | 杜邦電子公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;G09F9/30;H05K1/03;H05K5/02 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 程大軍;欒星明 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 復合 制造 方法 | ||
本申請提供了包含聚合物層和陽極金屬氧化物膜的柔性復合膜。本發明的柔性復合膜可用作高柔性顯示器中的表面材料、用作細間距柔性覆銅層壓板(FCCL)的基板材料、用作柔性太陽能電池的表面材料等。
技術領域
本發明涉及一種包含陽極金屬氧化物膜的柔性復合膜。
背景技術
對于像紙一樣輕且薄的柔性器件之需求日益增長。聚合物膜具有優異的柔性、高抗破損性以及有可能通過卷對卷生產而降低制造成本方面的優點。然而,聚合物膜的耐刮擦性不足限制了它們在高柔性器件中作為表面材料或基板材料的應用,所述應用例如用作柔性顯示器的蓋板、用作細間距柔性覆銅層壓板(FCCL)的基板材料、以及用作柔性太陽能電池的蓋板。
上述問題的解決方案包含通過在聚合物膜上進行表面涂覆和/或貼附至少一個保護層。諸如涂覆聚硅氧烷涂層、丙烯酸類涂層之類的基于有機物的涂層確實可提供改進的耐刮擦性。然而,經涂覆的復合膜的長期耐候性和耐熱性仍然不太理想。據發現此類涂布層的施加經常會導致聚合物膜的霧度增加。反而貼附衍生自鋁箔或鋯箔的無機金屬氧化物膜的保護層確實可以改善表面機械性能以及耐候性和耐熱性。盡管具有保護性金屬氧化物層的復合膜可以通過用粘合劑在聚合物膜上進行粘結而獲得,但是在重復性彎曲或折疊操作之后可能會發生分層或裂縫,因此該類復合膜不適用于高柔性應用。
為了避免所述分層問題,可以通過基于真空沉積的工藝來沉積所述金屬氧化物層,所述工藝諸如物理氣相沉積(PVD)或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。然而,這些基于真空沉積的工藝通常耗時且昂貴。
發明內容
本發明提供一種復合膜,其包括:聚合物層和陽極金屬氧化物膜,其中所述陽極金屬氧化物膜衍生自陽極氧化的金屬箔;所述陽極金屬氧化物膜具有納米結構,所述納米結構包括致密層和具有多個納米孔的多孔層;所述陽極金屬氧化物膜的多孔層嵌入所述聚合物層中;并且,根據ASTM D522/D 522M–17的方法測量,所述復合膜的外折折彎半徑為1.5mm或更小,且內折折彎半徑為1.5mm或更小。
在本發明復合膜的一個實施方案中,所述復合膜的總厚度在約5μm至約250μm的范圍內。
在本發明復合膜的另一實施方案中,所述陽極金屬氧化物膜的多孔層的厚度(Tp)在約0.5μm至約7μm的范圍內,并且所述陽極金屬氧化物膜的致密層的厚度(Td)在約2nm至約300nm的范圍內。
在本發明復合膜的又一實施方案中,所述陽極金屬氧化物膜的多孔層包括多個納米孔,所述納米孔的平均孔徑(Dp)為約1nm至約250nm,平均孔間距(Dint)為約5nm至約500nm,并且Dp/Dint比值在0.1至0.9的范圍內。
在本發明復合膜的再一實施方案中,所述金屬箔由鋁、鈦、鋯,以及它們的合金構成。
在本發明復合膜的又另一實施方案中,所述聚合物層包含聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚酰亞胺(PI),或它們的共聚物。
在本發明復合膜的一個實施方案中,根據IEC 61189-2-721方法測量,所述復合膜在2.45GHz下的介電常數為4或更小。
在本發明復合膜的另一實施方案中,所述復合膜在400nm至800nm之間的總透光率為約80%或更高。
本發明還提供了一種制造本發明復合膜的方法,其包括:
(i)提供一陽極氧化的金屬箔和一聚合物組合物;
(ii)將所述聚合物組合物涂覆在所述陽極氧化的金屬箔的一個陽極氧化表面之上;
(iii)在約50℃至約500℃范圍內的溫度下加熱步驟(ii)的產物30秒至6小時以形成聚合物層;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杜邦電子公司,未經杜邦電子公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910188809.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





