[發明專利]柔性復合膜和其制造方法在審
| 申請號: | 201910188809.4 | 申請日: | 2019-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN111697093A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 范靜;相飛;張春來 | 申請(專利權)人: | 杜邦電子公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;G09F9/30;H05K1/03;H05K5/02 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 程大軍;欒星明 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 復合 制造 方法 | ||
1.一種復合膜,其包括:
聚合物層和陽極金屬氧化物膜,
其中
所述陽極金屬氧化物膜衍生自陽極氧化的金屬箔;
所述陽極金屬氧化物膜具有納米結構,所述納米結構包括致密層和具有多個納米孔的多孔層;
所述陽極金屬氧化物膜的多孔層嵌入所述聚合物層中;并且
根據ASTM D522/D522M–17的方法測量,所述復合膜的外折折彎半徑為1.5mm或更小,且內折折彎半徑為1.5mm或更小。
2.根據權利要求1所述的復合膜,其中所述復合膜的總厚度在5μm至250μm的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的復合膜,其中所述陽極金屬氧化物膜的多孔層的厚度(Tp)在0.5μm至7.0μm的范圍內,并且所述陽極金屬氧化物膜的致密層的厚度(Td)在2nm至300nm的范圍內。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的復合膜,其中所述陽極金屬氧化物膜的多孔層包括多個納米孔,所述納米孔的平均孔徑(Dp)為1nm至250nm,平均孔間距(Dint)為5nm至500nm,并且Dp/Dint比值在0.1至0.9的范圍內。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的復合膜,其中所述金屬箔由鋁、鈦、鋯,以及它們的合金構成。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的復合膜,其中所述聚合物層包含聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亞胺,或它們的共聚物。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的復合膜,其中根據IEC 61189-2-721方法測量,所述復合膜在2.45GHz下的介電常數為4或更小。
8.根據權利要求1-6中任一項所述的復合膜,其中所述復合膜在400nm至800nm之間的總透光率為80%或更高。
9.一種制造根據權利要求1-8中任一項所述復合膜的方法,其包括:
(i)提供一陽極氧化金屬箔和一聚合物組合物;
(ii)將所述聚合物組合物施加在所述陽極氧化金屬箔的一個陽極氧化表面之上;
(iii)在50℃至500℃范圍內的溫度下加熱步驟(ii)的產物30秒至6小時以形成聚合物層;
(iv)任選地,在步驟(iii)的產物中如果存在未涂覆的陽極金屬氧化物膜,則將其去除以露出金屬箔;以及
(v)從步驟(iii)的產物或步驟(iv)的產物中通過化學或機械的方法去除所述金屬箔和如果存在未涂覆的陽極金屬氧化物膜;
其中
所述陽極氧化金屬箔包括金屬箔和至少一個陽極金屬氧化物膜,所述陽極金屬氧化物膜通過陽極氧化而生長在所述金屬箔的表面上;
所述陽極金屬氧化物膜具有納米結構,所述納米結構包括致密層和具有多個納米孔的多孔層,并且所述陽極金屬氧化物膜的致密層與所述金屬箔接觸;并且
所述聚合物組合物包含至少一種聚合物樹脂或其前驅體。
10.根據權利要求9所述的方法,其中通過化學方法用蝕刻劑處理步驟(iii)的產物去除所述金屬箔。
11.根據權利要求9所述的方法,其中所述陽極氧化的金屬箔是在其一側或兩側的表面上進行陽極氧化;并且所述金屬箔由鋁、鈦、鋯,以及它們的合金構成。
12.根據權利要求9所述的方法,其中所述聚合物組合物包含聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰胺酸,或它們的共聚物。
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