[發(fā)明專利]絕熱構(gòu)造體和立式熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910184953.0 | 申請日: | 2019-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN110277334B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉井弘治;山口達(dá)也;林寬之;岡田充弘;高木聰;高橋敏彥;莊司正文;北村和也 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕熱 構(gòu)造 立式 熱處理 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種能夠抑制從晶圓處理區(qū)域向爐口部分的熱移動、熱傳遞的絕熱構(gòu)造體和立式熱處理裝置。一實(shí)施方式的絕熱構(gòu)造體用于立式熱處理裝置,該立式熱處理裝置具備:雙層管構(gòu)造的處理容器,其具有內(nèi)管和上部封閉著的外管,并在下端具有開口;氣體供給部和排氣部,其設(shè)置于所述處理容器的下側(cè);蓋部,其從所述開口導(dǎo)入和排出基板,并且能夠使所述開口開閉;以及加熱部,其以從外側(cè)覆蓋所述處理容器的方式設(shè)置,該立式熱處理裝置利用所述加熱部對基所述板進(jìn)行熱處理,在所述絕熱構(gòu)造體中,該絕熱構(gòu)造體設(shè)置于所述內(nèi)管與所述外管之間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種絕熱構(gòu)造體和立式熱處理裝置。
背景技術(shù)
以往,作為半導(dǎo)體制造裝置的其中之一,公知有如下立式熱處理裝置:將沿著高度方向具有間隔地保持著多個(gè)基板的基板保持部向被能夠進(jìn)行高度方向的區(qū)域控制的加熱部包圍著的處理容器內(nèi)輸入,對基板進(jìn)行熱處理(參照例如專利文獻(xiàn)1)。在立式熱處理裝置中,利用保溫筒、歧管加熱器、蓋加熱器等進(jìn)行針對爐口部的散熱對策(參照例如專利文獻(xiàn)1-4)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-64804號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
然而,在上述的立式熱處理裝置中,在其構(gòu)造上,來自供基板保持器具輸入的處理容器的下方(爐口)部分的散熱較大,對靠近爐口部分的區(qū)域的加熱器施加比其他區(qū)域的加熱器大的電力。因此,謀求抑制從對處理容器內(nèi)的晶圓進(jìn)行處理的晶圓處理區(qū)域向爐口部分的熱移動、熱傳遞。
因此,在本發(fā)明的一形態(tài)中,目的在于提供一種能夠抑制從晶圓處理區(qū)域向爐口部分的熱移動、熱傳遞的絕熱構(gòu)造體和立式熱處理裝置。
為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明的一形態(tài)的絕熱構(gòu)造體,其用于立式熱處理裝置,該立式熱處理裝置具備:雙層管構(gòu)造的處理容器,其具有內(nèi)管和上部封閉著的外管,并在下端具有開口;氣體供給部和排氣部,其設(shè)置于所述處理容器的下側(cè);蓋部,其從所述開口導(dǎo)入和排出基板,并且能夠使所述開口開閉;以及加熱部,其以從外側(cè)覆蓋所述處理容器的方式設(shè)置,該立式熱處理裝置利用所述加熱部對所述基板進(jìn)行熱處理,在所述絕熱構(gòu)造體中,該絕熱構(gòu)造體設(shè)置于所述內(nèi)管與所述外管之間。
根據(jù)公開的絕熱構(gòu)造體,能夠抑制從晶圓處理區(qū)域向爐口部分的熱移動、熱傳遞。
附圖說明
圖1是表示第1實(shí)施方式的立式熱處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的剖視圖。
圖2是表示圖1的處理容器的圖。
圖3是表示圖1的氣體供給部的圖。
圖4是表示圖1的絕熱構(gòu)造體的立體圖。
圖5是表示第2實(shí)施方式的立式熱處理裝置的絕熱構(gòu)造體的立體圖。
圖6是表示第3實(shí)施方式的立式熱處理裝置的絕熱構(gòu)造體的立體圖。
圖7是表示第4實(shí)施方式的立式熱處理裝置的絕熱構(gòu)造體的立體圖。
圖8是表示絕熱構(gòu)造體的有無與各部的溫度之間的關(guān)系的圖。
圖9是表示絕熱構(gòu)造體的有無與膜成長速度的面間均勻性之間的關(guān)系的圖。
圖10是表示絕熱構(gòu)造體的有無與膜厚的面間均勻性之間的關(guān)系的圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





