[發明專利]絕熱構造體和立式熱處理裝置有效
| 申請號: | 201910184953.0 | 申請日: | 2019-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN110277334B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發明(設計)人: | 吉井弘治;山口達也;林寬之;岡田充弘;高木聰;高橋敏彥;莊司正文;北村和也 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕熱 構造 立式 熱處理 裝置 | ||
1.一種絕熱構造體,其用于立式熱處理裝置,
該立式熱處理裝置具備:
雙層管構造的處理容器,其具有內管和上部封閉著的外管,并在下端具有開口;
氣體供給部和排氣部,其設置于所述處理容器的下側;
蓋部,其從所述開口導入和排出基板,并且能夠使所述開口開閉;以及
加熱部,其以從外側覆蓋所述處理容器的方式設置,
該立式熱處理裝置利用所述加熱部對所述基板進行熱處理,
其中,該絕熱構造體設置于所述內管與所述外管之間,
所述絕熱構造體具有沿著所述內管的外周設置的板狀構件,
所述板狀構件具有設置在上下方向上的不同的位置的第1上側構件和第2上側構件,
所述絕熱構造體具有支承所述板狀構件的支承構件,
在所述外管的下部的內壁形成有圓環形狀的支承部,
所述支承構件具有:
下側構件,其配置于所述支承部之上;以及
連接構件,其將所述下側構件和所述板狀構件連接,
所述連接構件由棒狀構件形成,一端與所述下側構件的上表面連接,另一端與所述第1上側構件的下表面連接。
2.根據權利要求1所述的絕熱構造體,其中,
所述板狀構件在俯視時形成為在與所述排氣部相對應的位置形成有缺口的C字形狀。
3.根據權利要求1所述的絕熱構造體,其中,
所述板狀構件在俯視時形成為圓環形狀。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的絕熱構造體,其中,
所述絕熱構造體以最上部的高度位置比所述排氣部的上端的位置高的方式配置。
5.根據權利要求1~3中任一項所述的絕熱構造體,其中,
所述絕熱構造體以最上部的高度位置比以保持著所述基板的狀態收容于所述處理容器內的基板保持器具的下端或配置于所述處理容器的外周側的加熱部的下端中的上側的位置低的方式配置。
6.一種絕熱構造體,其用于立式熱處理裝置,
該立式熱處理裝置具備:
雙層管構造的處理容器,其具有內管和上部封閉著的外管,并在下端具有開口;
氣體供給部和排氣部,其設置于所述處理容器的下側;
蓋部,其從所述開口導入和排出基板,并且能夠使所述開口開閉;以及
加熱部,其以從外側覆蓋所述處理容器的方式設置,
該立式熱處理裝置利用所述加熱部對所述基板進行熱處理,
其中,在所述內管與所述外管之間具有沿著所述內管的外周設置的板狀構件,
所述板狀構件具有:第1弧狀構件,其在上下方向上的第1高度位置沿著所述內管的外周設置有多個;以及第2弧狀構件,其在有別于所述第1高度位置的第2高度位置沿著所述內管的外周設置有多個,
所述第1弧狀構件和所述第2弧狀構件沿著所述內管的外周交替地配置,彼此相鄰的所述第1弧狀構件和所述第2弧狀構件以在俯視時局部重疊的方式配置。
7.根據權利要求6所述的絕熱構造體,其中,
所述絕熱構造體具有支承所述板狀構件的支承構件。
8.根據權利要求7所述的絕熱構造體,其中,
在所述外管的下部的內壁形成有圓環形狀的支承部,
所述支承構件具有:
下側構件,其配置于所述支承部之上;以及
連接構件,其將所述下側構件和所述板狀構件連接。
9.根據權利要求6~8中任一項所述的絕熱構造體,其中,
所述絕熱構造體以最上部的高度位置比所述排氣部的上端的位置高的方式配置。
10.根據權利要求6~8中任一項所述的絕熱構造體,其中,
所述絕熱構造體以最上部的高度位置比以保持著所述基板的狀態收容于所述處理容器內的基板保持器具的下端或配置于所述處理容器的外周側的加熱部的下端中的上側的位置低的方式配置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910184953.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基板處理裝置及基板處理方法
- 下一篇:一種用于石英晶片排片機的工裝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





