[發明專利]一種摻雜光纖外包層的制備方法

有效

• 申請號: 201910184928.2
• 申請日: 2016-07-14
• 公開（公告）號: CN109748492B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 葛錫良;馮高鋒;董瑞洪;馬靜
• 申請（專利權）人: 浙江富通光纖技術有限公司
• 主分類號: C03B37/018
• 分類號: C03B37/018;C03B37/014
• 代理公司: 杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289
• 代理人: 朱林軍

1.一種摻雜光纖外包層的制備方法，用于將光纖預制棒的沉積管與芯棒融合，其特征在于，包括以下步驟：

1)將沉積管與首管熔融對接；

2)將芯棒的一端沿芯棒長度方向開設凹槽，將芯棒開設凹槽的一端伸入抽負壓連接管內，用噴燈加熱抽負壓連接管，使得抽負壓連接管與芯棒熔融固定，抽負壓連接管內部空間通過凹槽與外部空間連通；

3)將芯棒無凹槽的一端朝首管方向伸入沉積管，直至抽負壓連接管管口與沉積管管口相接，加熱抽負壓連接管與沉積管相接處，使抽負壓連接管與沉積管熔融連接；

4)將沉積管抽成負壓，由首管向抽負壓連接管方向加熱沉積管與芯棒，使沉積管與芯棒加熱融合在一起；

所述步驟2)中，芯棒上開設的凹槽有多個，且沿芯棒的周向均勻分布，各凹槽的長度范圍在30-80mm，寬度范圍在2-6mm，深度范圍在2-9mm；

所述步驟2)中，芯棒開設凹槽的一端伸入抽負壓連接管內距離為20-70mm。

2.如權利要求1所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，步驟1)中還包括對沉積管進行雜質去除操作，對沉積管進行雜質去除操作的方法如下：

將首管和抽負壓連接管分別安裝在MCVD設備的兩個夾具上；

將抽負壓連接管與沉積管熔融對接；

向沉積管內通入六氟化硫及氧氣，并用噴燈對沉積管表面進行拋光以去除沉積管內壁及外表面雜質；

雜質去除完成后，加熱抽負壓連接管與沉積管的熔接處，使兩者分開，沉積管冷卻后用塑料膜包覆以隔絕空氣。

3.如權利要求2所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，向沉積管內通入的六氟化硫控制在100-300mL/min，通入的氧氣控制在500-1500mL/min；用噴燈對沉積管進行拋光時，噴燈氫氣控制在80-150L/min，噴燈的移動速度控制在100-180mm/min，使沉積管表面溫度達到1900-2200C°。

4.如權利要求1所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中，抽負壓連接管與芯棒熔融固定后，對芯棒進行校直操作以及對芯棒進行雜質去除操作。

5.如權利要求4所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，對芯棒進行雜質去除操作的方法如下：

將抽負壓連接管和輔助棒分別安裝在MCVD設備的兩個夾具上；

將芯棒和輔助棒熔融對接；

對芯棒進行火焰拋光操作；

拋光完成后，加熱芯棒與輔助棒的對接處，使芯棒和輔助棒熔融拉斷。

6.如權利要求5所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，在芯棒開設凹槽后利用酒精清洗去除芯棒表面的雜質；在對芯棒進行火焰拋光操作前，利用酒精清洗去除芯棒表面的雜質。

7.如權利要求1所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，步驟1)中，首管與沉積管熔接處形成一個直徑小于首管與沉積管的錐形環；步驟3)中，芯棒伸入沉積管的一端位于首管與沉積管熔接處；步驟4)中，在將沉積管與芯棒加熱融合在一起之前，對首管與沉積管熔接處采用噴燈進行加熱。

8.如權利要求1所述的摻雜光纖外包層的制備方法，其特征在于，步驟4)中通過噴燈加熱沉積管與芯棒，噴燈的氫氣控制在100-170L/min，噴燈的移動速度控制在5-30mm/min，沉積管內的壓力控制在-1.5torr至-0.1torr。