[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201910184346.4 | 申請日： | 2019-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN109888011A | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發明（設計）人： | 倪賢鋒;范謙;何偉 | 申請（專利權）人： | 蘇州漢驊半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/66 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 異質結構 半導體結構 緩沖層 摻雜層 襯底 導電溝道 導通電阻 漏極區域 相對兩側 源極區域 并聯 制造 申請 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底和位于所述襯底上的緩沖層；
位于所述緩沖層源極區域與漏極區域上的摻雜層；
位于所述緩沖層上且位于所述摻雜層之間的第一異質結構；
位于所述第一異質結構上的柵極以及位于在所述第一異質結構上且位于所述柵極相對兩側的至少一個異質結構。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，至少一個所述異質結構包括離子摻雜部，所述離子摻雜部與所述摻雜層相接觸。
3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述離子為n型硅離子或者為n型硅離子與n型氧離子的混合離子。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述源極區域的摻雜層上設有源極、所述漏極區域的摻雜層上設有漏極。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極與第一異質結構之間設有用于減少柵極漏電的介質層。
6.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成第一異質結構，在所述第一異質結構上形成至少一個異質結構；
對源極區域的和漏極區域的異質結構進行刻蝕，直到暴露出部分緩沖層，并在暴露出的部分緩沖層上形成摻雜層；
刻蝕柵極區域的異質結構，直到暴露出部分第一異質結構，以形成柵極窗口，并在所述柵極窗口內形成柵極。
7.根據權利要求6所述的半導體結構制造方法，其特征在于，對源極區域的和漏極區域的異質結構進行刻蝕，直到暴露出部分緩沖層的步驟包括：
在頂端的異質結構表面涂覆一層光刻膠；
通過曝光、顯影定義出源極區域和漏極區域；
對所述源極區域的漏極區域的異質結構進行刻蝕。
8.根據權利要求6所述的半導體結構制造方法，其特征在于，刻蝕柵極區域的異質結構，直到暴露出部分第一異質結構的步驟包括：
在頂端的異質結構表面涂覆一層光刻膠；
通過曝光、顯影定義出柵極區域；
對所述柵極區域的異質結構進行刻蝕。
9.根據權利要求6所述的半導體結構制造方法，其特征在于，所述摻雜層為n型摻雜層，摻雜濃度大于2×1019cm-3。
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