[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件及其制造方法以及介電磁性組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910183890.7
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN111009418B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設計）人: 崔斗源;趙志弘;禹錫均
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/005
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

1.一種制造多層陶瓷電子組件的方法，所述方法包括：

制備包括基體材料粉末顆粒的介電磁性組合物，所述基體材料粉末顆粒由BaTi₂O₅或(Ba_(1-x)Ca_x)Ti₂O₅表示，其中，0≤x0.1，所述基體材料粉末顆粒的表面涂覆有從Mg、Mn、V、Ba、Si、Al和稀土金屬的組中選擇的至少一種；

使用包括所述介電磁性組合物的介電漿料制備陶瓷生片；

將內電極膏涂敷到所述陶瓷生片；

通過堆疊涂敷有所述內電極膏的所述陶瓷生片制備生片層疊體；以及

通過燒結所述生片層疊體制備陶瓷主體，所述陶瓷主體包括介電層以及被布置為彼此面對的多個第一內電極和多個第二內電極，并且所述介電層中的每個介于第一內電極與第二內電極之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，基于所述基體材料粉末顆粒的元素中的100摩爾份的Ti，從Mg、Mn、V、Ba、Si、Al和稀土金屬的組中選擇的所述至少一種的含量為2摩爾份或更少。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述基體材料粉末顆粒具有涂覆有所述稀土金屬的表面，并且所述稀土金屬包括從由Y、Dy、Ho、La、Ce、Nd、Sm、Gd和Er組成的組中選擇的至少一種。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，0≤x≤0.07。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述介電層的厚度小于10.0μm。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一內電極和所述第二內電極中的每者的厚度小于2μm。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，t12×t2，其中，t1為所述介電層的厚度，并且t2為所述第一內電極和所述第二內電極中的每者的厚度。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，t2t3，其中，t3為所述介電層中鎳的含量為3wt％或更少的區(qū)域距所述第一內電極和所述第二內電極中的每者的邊界的厚度，并且t2為所述第一內電極和所述第二內電極中的每者的厚度。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，還在所述陶瓷主體中布置多個浮置電極以在厚度方向上從所述第一內電極和所述第二內電極偏移，并且所述多個浮置電極具有分別與所述第一內電極的部分和所述第二內電極的部分疊置的相對的端部。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述陶瓷主體包括有效部和覆蓋部，所述有效部包括被設置為彼此面對的所述多個第一內電極和所述多個第二內電極，所述覆蓋部分別形成在所述有效部的上表面和下表面上，并且

第一虛設電極和第二虛設電極布置在所述覆蓋部中以彼此分開。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述第一虛設電極暴露于與所述陶瓷主體的暴露所述第一內電極的表面相同的表面，并且所述第二虛設電極暴露于與所述陶瓷主體的暴露所述第二內電極的表面相同的表面。

12.根據(jù)權利要求1所述的方法，所述方法還包括：在制備所述陶瓷主體之后，在所述陶瓷主體的外表面上形成外電極。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，所述外電極分別包括：電極層，電連接到所述第一內電極和所述第二內電極；導電樹脂層，設置在所述電極層上；以及鍍層，設置在所述導電樹脂層上。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述鍍層分別包括設置在所述導電樹脂層上的鎳鍍層和設置在所述鎳鍍層上的鈀鍍層。

15.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述基體材料粉末顆粒的平均顆粒尺寸為150nm或更小。