[發明專利]非破壞檢測方法

有效

• 申請號: 201910183815.0
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN110270769B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 筑地修一郎;一宮佑希
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B23K26/03;B23K26/08;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;黃綸偉

提供非破壞檢測方法，能夠高效地進行通過激光加工而形成于被加工物的改質層的深度位置和長度的確認，并且能夠迅速地設定適當的激光加工條件。在與X軸Y軸平面垂直的Z軸方向上隔開規定的間隔(H)而間歇地對被加工物的內部進行拍攝，獲取多個X軸Y軸平面圖像，針對由這些圖像得到的三維圖像(101)，計算出通過反卷積而去除了模糊后的清晰的三維清晰圖像，將三維清晰圖像與Z軸平行地切斷，根據改質層的剖面的二維圖像，對改質層的Z軸坐標值和改質層的長度進行檢測。能夠迅速地反復進行激光加工和改質層的狀態檢測，能夠盡快發現最適合改質層形成的激光加工條件。

技術領域

本發明涉及對通過激光加工而形成于被加工物的內部的改質層的狀態進行檢測的方法。

背景技術

存在如下的方法：從在正面上由分割預定線劃分的區域中形成有器件的晶片的背面，沿著分割預定線照射對于晶片具有透過性的波長的激光光線，使激光光線會聚至晶片的內部而在聚光點處形成改質層，然后對改質層施加外力而以改質層為起點對晶片進行分割(例如，參照專利文獻1)。

在該分割方法中，晶片的厚度方向上的改質層的深度位置和長度與晶片的分割容易性存在關聯。因此，通過知曉改質層的深度位置和長度，能夠判斷是否形成了適合分割的改質層。

因此，還提出了如下的方法，預先將晶片的端部切斷，在晶片的內部形成改質層，然后對晶片的切斷面進行拍攝，從而觀察改質層的狀態(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特許3408805號公報

專利文獻2：日本特開2017-166961號公報

但是，為了進行改質層的深度位置和長度是否最適合被加工物的分割的判斷，需要交替地反復進行改質層的形成以及所形成的改質層的觀察，在專利文獻2所記載的方法中，需要將晶片切斷而觀察改質層，因此產生了在設定最佳的激光加工條件之前要花費時間的問題。

發明內容

本發明是鑒于上述問題而完成的，其課題在于，能夠高效地進行通過激光加工而形成于被加工物的改質層的深度位置和長度的確認，并且能夠迅速地設定適當的激光加工條件。

本發明是非破壞檢測方法，以非破壞方式對改質層進行檢測，該改質層是通過將對于被加工物具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于被加工物的內部并照射激光光線而形成的，該被加工物具有第一面和該第一面的相反側的第二面，其中，該非破壞檢測方法具有如下的工序：準備工序，準備如下的檢查裝置：該檢查裝置具有拍攝單元、光源、驅動單元以及存儲單元，其中，該拍攝單元具有物鏡并且從該第一面側對被加工物的內部進行拍攝，該光源從該第一面側照射對于被加工物具有透過性的波段的光，該驅動單元使該物鏡相對于該第一面接近或遠離，該存儲單元對該拍攝單元所拍攝到的圖像進行存儲；獲取工序，在將與該第一面平行的面設為X軸Y軸平面的情況下，使該物鏡間歇地在與X軸Y軸平面垂直的Z軸方向上隔開規定的間隔H而接近該第一面，根據被加工物的折射率將焦點定位于被加工物內的Z軸坐標位置，按照每個Z軸坐標值來獲取被加工物的內部的多個X軸Y軸平面圖像并存儲于該存儲單元；存儲工序，針對根據在該獲取工序中存儲的每個Z軸坐標值的多個X軸Y軸平面圖像而生成的三維圖像，計算出通過反卷積而去除了模糊后的清晰的三維清晰圖像并存儲于該存儲單元；以及檢測工序，將在該存儲工序中存儲的該三維清晰圖像與Z軸平行地切斷，從改質層的剖面的二維圖像檢測改質層的Z軸坐標值和改質層的長度。

優選所述反卷積是：將根據在所述獲取工序中存儲的每個Z軸坐標值的X軸Y軸平面圖像而生成的三維圖像的傅里葉變換除以三維點擴散函數的傅里葉變換，接著進行傅里葉逆變換而計算出清晰的三維清晰圖像，其中，該三維點擴散函數表示定位于改質層內的該拍攝單元的焦點因光學系統而引起的模糊效應。

優選所述三維點擴散函數是Gibson-Lanni模型的公式。