[發明專利]半導體元件及其制作方法

在審

• 申請號: 201910180883.1
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN111682068A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 陳金宏;傅思逸;許智凱;許嘉榕;林毓翔
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：

形成第一半導體層以及絕緣層于基底上；

去除該絕緣層以及該第一半導體層以形成多個開口；

形成第二半導體層于該多個開口內；以及

圖案化該第二半導體層、該絕緣層以及該第一半導體層以形成多個鰭狀結構。

2.如權利要求1所述的方法，另包含：

去除該絕緣層以及該第一半導體層以形成圖案化的絕緣層、圖案化的第一半導體層以及該多個開口；

形成該第二半導體層于該多個開口內并設于該圖案化的絕緣層上；

平坦化該第二半導體層；

形成軸心體于該第二半導體層上；

形成間隙壁于該軸心體旁；

去除該軸心體；以及

利用該間隙壁圖案化該第二半導體層、該絕緣層、該第一半導體層以及該基底以形成該多個鰭狀結構。

3.如權利要求2所述的方法，另包含：

形成第一硬掩模以及第二硬掩模于該第二半導體層上；

形成該軸心體于該第二硬掩模上；以及

利用該間隙壁圖案化該第二硬掩模、該第一硬掩模、該第二半導體層、該絕緣層、該第一半導體層以及該基底以形成該多個鰭狀結構。

4.如權利要求2所述的方法，其中該軸心體以及該間隙壁的寬度總和等于該圖案化的絕緣層的寬度。

5.如權利要求1所述的方法，其中該基底以及該第二半導體層包含相同材料。

6.如權利要求5所述的方法，其中該基底以及該第二半導體層包含氮化鎵。

7.如權利要求1所述的方法，其中該第一半導體層以及該第二半導體層包含不同材料。

8.如權利要求1所述的方法，其中該第一半導體層包含氮化鋁鎵。

9.如權利要求1所述的方法，其中該絕緣層包含金屬氧化物。

10.如權利要求9所述的方法，其中該絕緣層包含氧化鋁。

11.一種半導體元件，其特征在于，包含：

鰭狀結構，設在基底上，該鰭狀結構包含：

第一半導體層，設于該基底上；

第二半導體層，設于該第一半導體層上；

絕緣層，設于該第二半導體層上；以及

第三半導體層，設于該絕緣層上。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一半導體層以及該基底包含相同材料。

13.如權利要求12所述的半導體元件，其中該第一半導體層以及該基底包含氮化鎵。

14.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第一半導體層以及該第三半導體層包含相同材料。

15.如權利要求14所述的半導體元件，其中該第一半導體層以及該第三半導體層包含氮化鎵。

16.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第二半導體層包含氮化鋁鎵。

17.如權利要求11所述的半導體元件，其中該絕緣層包含金屬氧化物。

18.如權利要求17所述的半導體元件，其中該絕緣層包含氧化鋁。

19.如權利要求11所述的半導體元件，另包含淺溝隔離，設于該第一半導體層、該第二半導體層、該絕緣層以及該第三半導體層周圍。

20.如權利要求19所述的半導體元件，另包含柵極電極，設于該淺溝隔離及該鰭狀結構上。