[發明專利]分柵快閃存儲器的形成方法及分柵快閃存儲器

在審

• 申請號: 201910173460.7
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN109817529A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 曹啟鵬;王卉;陳宏;曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/788
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底，所述襯底上形成有襯底氧化層及功能層，所述功能層包括依次形成于所述襯底氧化層上的浮柵層、ONO膜層、控制柵層及第一氮化硅層，其中，所述浮柵層中具有原始離子；

刻蝕所述功能層至所述襯底氧化層表面以形成第一溝槽；

在所述第一溝槽的側壁上形成第一側墻結構；

形成共享字線，所述共享字線填充所述第一溝槽；

刻蝕所述第一氮化硅層、所述控制柵層及所述ONO膜層至所述浮柵層表面；

自所述浮柵層露出的表面向所述浮柵層中摻雜補償離子，以在所述原始離子與所述補償離子的交界處形成電壓勢壘；

刻蝕所述浮柵層中露出的部分至所述襯底氧化層表面；以及

在所述襯底氧化層上形成第二側墻結構，所述第二側墻結構覆蓋所述功能層的側壁。

2.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，往所述浮柵層中摻雜補償離子的工藝為離子注入工藝。

3.根據權利要求2所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述補償離子的導電類型為P型，所述原始離子的導電類型為N型；或者，所述補償離子的導電類型為N型，所述原始離子的導電類型為P型。

4.根據權利要求3所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝條件包括：采用的離子為硼離子，注入能量介于500eV至5000eV，注入劑量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

5.根據權利要求3所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝條件包括：采用的離子為BF₂⁺離子，注入能量介于500eV至5000eV，注入劑量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

6.根據權利要求3所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝條件包括：采用的離子為銦離子，注入能量介于500eV至5000eV，注入劑量介于1*10¹⁵atom/cm²～5*10¹⁶atom/cm²，注入角度介于15°至60°。

7.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝刻蝕所述控制柵層及所述ONO膜層至所述浮柵層表面。

8.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述共享字線、所述控制柵層及所述浮柵層的材料均為多晶硅。

9.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述襯底氧化層及所述功能層通過低壓化學氣相沉積的方式形成于所述襯底上。

10.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一側墻結構包括：依次覆蓋在所述第一溝槽側壁上的第一氧化硅層、第二氮化硅層及隧穿氧化層。

11.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二側墻結構包括依次覆蓋在所述功能層側壁的第二氧化硅層、第三氮化硅層和第三氧化硅層。