[發(fā)明專利]一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910173445.2
• 申請(qǐng)日: 2019-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN109904115B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉政紅;董立群;張強(qiáng);黃冠群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L27/11517;H01L27/11563
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭星

1.一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上沉積第一氧化硅膜層，在所述第一氧化硅膜層上沉積多晶硅，在多晶硅柵區(qū)域上方覆蓋光刻膠進(jìn)行多晶硅刻蝕，形成多晶硅柵，依次沉積第二氧化硅膜層和第一氮化硅膜層，覆蓋半導(dǎo)體基底上的第一氧化硅膜層和所述多晶硅柵，用干法刻蝕去除半導(dǎo)體基底上和多晶硅柵頂部的第一氮化硅膜層，保留多晶硅柵側(cè)壁的第一氮化硅膜層，在多晶硅柵側(cè)壁的第二氧化硅膜層之外形成第一側(cè)墻氮化硅膜層；

采用濕法刻蝕工藝去除半導(dǎo)體基底上的第一氧化硅膜層、第二氧化硅膜層和多晶硅柵頂部的第二氧化硅膜層；保留多晶硅柵側(cè)壁的第二氧化硅膜層，在多晶硅柵的側(cè)壁形成第一側(cè)墻氧化硅膜層；

沉積第三氧化硅膜層，覆蓋半導(dǎo)體基底、多晶硅柵、第一側(cè)墻氧化硅膜層和第一側(cè)墻氮化硅膜層；

沉積第四氧化硅膜層和第二氮化硅膜層，覆蓋所述第三氧化硅膜層；

干法刻蝕去除半導(dǎo)體基底上和多晶硅柵頂部的第二氮化硅膜層，保留多晶硅柵側(cè)壁的第二氮化硅膜層，在多晶硅柵側(cè)壁的第三氧化硅膜層之外形成第二側(cè)墻氮化硅膜層，在所述多晶硅柵側(cè)壁形成氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮化硅的側(cè)墻結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述的濕法刻蝕去除半導(dǎo)體基底上的第一氧化硅膜層、第二氧化硅膜層和多晶硅柵頂部的第二氧化硅膜層的刻蝕液采用氧化硅緩沖蝕刻液或者氫氟酸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述的濕法刻蝕去除半導(dǎo)體基底上的第一氧化硅膜層、第二氧化硅膜層和多晶硅柵頂部的第二氧化硅膜層厚度的過刻蝕量為1%-100%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述的第三氧化硅膜層采用化學(xué)氣相沉積或者熱氧化形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三氧化硅膜層厚度為0-80埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二氧化硅膜層和第四氧化硅膜層的厚度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種側(cè)墻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一氮化硅膜層和第二氮化硅膜層的厚度相同。