[發明專利]一種檢查低壓晶體管可靠性的方法

有效

• 申請號: 201910173006.1
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN109902410B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 曹云;于明
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367;G06F119/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種檢查低壓晶體管可靠性的方法，至少一個所述低壓晶體管位于電路中，所述電路中還包括至少一個高壓晶體管，所述高壓晶體管包括P型場效應管和N型場效應管，所述電路連接高壓電源和低壓電源，其特征在于，所述檢查低壓晶體管可靠性的方法包括：

步驟一，直接確定每個所述低壓晶體管的柵極、源極、漏極和襯底是否連接至所述高壓電源，若是，則對該低壓晶體管進行標記；

步驟二，將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路后，確定每個所述低壓晶體管的柵極、源極、漏極和襯底是否連接至所述高壓電源，若是，則對該低壓晶體管進行標記；

步驟三，將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路，確定每個所述N型場效應管的柵極是否連接所述高壓電源，且該N型場效應管的源極是否連接一個所述低壓晶體管的漏極，若是，則對該低壓晶體管進行標記；

其中，所述高壓電源的電壓輸出值為3.6V～5V，所述低壓電源的電壓輸出值為1.2V～1.6V。

2.如權利要求1所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，將被標記所述低壓晶體管替換為高壓晶體管。

3.如權利要求1所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，所述檢查低壓晶體管可靠性的方法還包括：

判斷所述電路的設計數據是否具有LAYOUT文件，若是，則將所述LAYOUT文件輸入至Calibre軟件。

4.如權利要求3所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，

將GDS2格式的文件輸入Calibre軟件后，加入代碼進行自動檢測。

5.如權利要求3所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，若所述電路的設計數據不具有LAYOUT文件，則將電路的示意圖轉換成電路網表，采用Perl軟件讀取電路網表。

6.如權利要求5所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，將電路的示意圖轉換成電路網表，采用Perl軟件讀取電路網表包括：

將層次示意圖列表轉換為平面示意圖列表；

根據Perl腳本確定所述平面示意圖列表中的每個所述低壓晶體管的柵極、源極、漏極和襯底是否連接至所述高壓電源，若是，則對該低壓晶體管進行標記；

對所述平面示意圖列表進行處理，從所述平面示意圖列表的襯墊端出發，根據器件網表的格式，將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路后，確定每個所述低壓晶體管的柵極、源極、漏極和襯底是否連接至所述高壓電源，若是，則對該低壓晶體管進行標記；

對所述平面示意圖列表進行處理，從所述平面示意圖列表的襯墊端出發，根據器件網表的格式，將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路，確定每個所述N型場效應管的柵極是否連接所述高壓電源，且該N型場效應管的源極是否連接一個所述低壓晶體管的漏極，若是，則對該低壓晶體管進行標記。

7.如權利要求1所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，所述檢查低壓晶體管可靠性的方法還包括：

將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路，確定每個所述N型場效應管的柵極是否連接所述高壓電源，以使多個所述低壓晶體管的柵極連接的電壓大于1.5V，若是，則對多個所述低壓晶體管進行標記，其中，

VDDA50-Vth*X≥1.5V，VDDA50為高壓電源的輸出電壓值，Vth為低壓晶體管的閾值電壓，X為電路中低壓晶體管的級數，X的取值使VDDA50-Vth*X≥1.5V。

8.如權利要求7所述的檢查低壓晶體管可靠性的方法，其特征在于，

將每個所述P型場效應管的源極和漏極短路，確定每個所述N型場效應管的柵極是否連接所述高壓電源，且該N型場效應管的源極是否連接一個所述低壓晶體管的柵極，若是，則對該低壓晶體管進行標記，標記為第一替換晶體管；

確定所述第一替換晶體管的源極是否連接另一個所述低壓晶體管的柵極，若是，則對該低壓晶體管進行標記，標記為第二替換晶體管；

確定所述第二替換晶體管的源極是否連接另一個所述低壓晶體管的柵極，若是，則對該低壓晶體管進行標記，標記為第三替換晶體管；

確定所述第三替換晶體管的源極是否連接另一個所述低壓晶體管的柵極，若是，則對該低壓晶體管進行標記，標記為第四替換晶體管。