[發(fā)明專利]復合結構物和其評價方法、半導體和顯示屏制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910171153.5
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN110246811B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 巖澤順一;芹澤宏明;和田琢真;滝沢亮人;青島利裕;高橋祐宜;金城厚
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;C04B41/87;C23C24/04;G01N23/203;G01N27/62
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

本發(fā)明提供一種抗粒子性出色的陶瓷涂層以及評價陶瓷涂層的抗粒子性的方法。具體而言，是一種包含基體材料及設置在所述基體材料上且具有表面的結構物的復合結構物，結構物包含多結晶陶瓷，將通過TEM圖像解析算出的亮度Sa滿足規(guī)定值的復合結構物，可作為要求具有抗粒子性的半導體制造裝置的內部構件而適當加以使用。

技術領域

本發(fā)明涉及一種復合結構物，其對基體材料表面涂覆多結晶陶瓷而使基體材料具有功能。另外，本發(fā)明涉及一種具備該復合結構物的半導體制造裝置、顯示屏制造裝置。尤其，本發(fā)明涉及一種半導體制造裝置構件等暴露于腐蝕性等離子體的環(huán)境中使用的抗粒子性出色的復合結構物和其評價方法及具備該復合結構物的半導體制造裝置、顯示屏制造裝置。

背景技術

已周知對基體材料表面涂覆陶瓷而使基體材料具有功能的技術。例如，作為這樣的陶瓷涂層而存在半導體制造裝置等中的腔構成構件的抗等離子性涂層、散熱基體材料等中的絕緣性涂層、光學鏡等中的超平滑涂層及滑動構件等中的耐傷性、耐磨性涂層等。伴隨這樣的構件的高功能化等而對其的要求水準較高，在這樣的陶瓷涂層中，支配其性能的不僅是其材料組成，而是有可能是其物理結構尤其是顯微結構。

作為得到這樣的陶瓷涂層的方法，已開發(fā)了氣溶膠沉積法(Aerosol?depositionmethod：AD法)、通過等離子體或離子輔助而進行厚膜化的物理氣相沉積(PVD(PhysicalVapor?Deposition))法(等離子體增強物理氣相沉積(P?EPVD(Plasma-Enhanced?PhysicalVapor?Deposition))法、離子束輔助沉積(I?AD(Ion?Assisted?Deposition))法、使用微細原料懸浮液(suspension)的懸浮液噴涂法等各種陶瓷涂層技術。

對通過這些方法小心制造的陶瓷涂層，一定程度上也進行了對顯微結構的控制。到此為止的報告中，通過SEM(Scanning?Electron?Microscope：掃描式電子顯微鏡)等的圖像解析法確認的氣孔率為0.01～0.1％。

例如，在日本國特開2005-217351號公報(專利文獻1)中，作為具有抗等離子性的半導體制造裝置用構件而公開了由占孔率為0.05面積％以下的氧化釔多結晶體構成的層狀結構物。該層狀結構物具有適當?shù)目沟入x子性。

另外，在韓國專利20170077830A公報(專利文獻2)中，公開了對等離子體及腐蝕性氣體具有較高抵抗性的YF₃透明氟類薄膜。由于該YF₃薄膜是氣孔率為0.01-0.1％的比較致密的薄膜，因此對等離子體等的抵抗性較高。另外，耐電壓為50-150V/μm。

在日本國特表2016-511796號公報(專利文獻3)中，公開了包含粒徑200-900nm的范圍的構成粒子及粒徑900nm-10μm的范圍的構成粒子的Y₂O₃等的陶瓷被膜。該被膜是氣孔率為0.01-0.1％的比較致密的被膜，對等離子體等的抵抗性較高。另外，耐電壓為80-120V/μm。

在日本化學會志1979，(8)，p.1106～1108(非專利文獻1)中作為透明的板狀試樣即氧化釔燒結體的光學特性而公開了折射率及反射率(參照圖10)。

半導體制造裝置領域中，半導體器件(device)的微細化每年都在推進，如果極紫外光刻(EUV(Extreme?ultraviolet?lithography))得到實用化，則推測其可達到數(shù)nm。根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE(The?Institute?of?Elec?trical?and?ElectronicsEngineers,Inc))作成的國際器件與系統(tǒng)路線圖(IRDS(I?nternational?Roadmap?forDevices?and?Systems))、摩爾白皮書2016版本，預測雖然2017年的器件間橫向的半節(jié)距為18.0nm，但是2019年則減小到12.0nm以下，2021年以后則減小到10.0nm以下。