[發(fā)明專利]復合結構物和其評價方法、半導體和顯示屏制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910171153.5
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN110246811B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 巖澤順一;芹澤宏明;和田琢真;滝沢亮人;青島利裕;高橋祐宜;金城厚
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;C04B41/87;C23C24/04;G01N23/203;G01N27/62
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

1.一種在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，包含基體材料及設置在所述基體材料上且具有表面的結構物，其特征為，

所述結構物包含多結晶陶瓷，

通過二次離子質(zhì)譜分析法即Dynamic-Secondary?Ion?Mass?Spectrometry_D-SIMS法測定出的測定深度為500nm或2μm的任意一個時的單位體積的氫原子數(shù)為7×10²¹atoms/cm³以下。

2.根據(jù)權利要求1所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，所述結構物的單位體積的氫原子數(shù)為5×10²¹atoms/cm³以下。

3.一種在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，包含基體材料及設置在所述基體材料上且具有表面的結構物，其特征為，

所述結構物包含多結晶陶瓷，

通過氫正向散射分析法即HFS-盧瑟福背散射分光法即RBS及質(zhì)子-氫正向散射分析法即p-RBS測定出的氫原子濃度為7原子%以下。

4.根據(jù)權利要求1～3中任意一項所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，通過40萬倍～200萬倍倍率的TEM圖像算出的所述多結晶陶瓷的平均微晶尺寸為3nm以上、50nm以下。

5.根據(jù)權利要求4所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，所述微晶尺寸為30nm以下。

6.根據(jù)權利要求5所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，所述微晶尺寸為5nm以上。

7.根據(jù)權利要求1～3、5～6中任意一項所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，從稀土類元素的氧化物、氟化物、氟氧化物以及這些的混合物中選擇所述結構物。

8.根據(jù)權利要求7所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物，其特征為，所述稀土類元素是選自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中選擇的至少一種。

9.一種半導體制造裝置，其特征為，具備權利要求1～8中任意一項所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物。

10.一種顯示屏制造裝置，其特征為，具備權利要求1～8中任意一項所述的在要求抗粒子性的環(huán)境中使用的復合結構物。