[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910170892.2
• 申請(qǐng)日: 2019-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN111668163B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林庭佑;涂祈吏;林鑫成;胡鈺豪;吳政璁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一襯底，具有一晶片區(qū)以及一密封環(huán)區(qū)；

一第一絕緣層，位于所述襯底之上；

一第二絕緣層，位于所述第一絕緣層之上；

一第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，埋置于所述第一絕緣層及所述第二絕緣層中且位于所述密封環(huán)區(qū)內(nèi)，其中所述第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)包括一金屬層堆疊；

一第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)，埋置于所述第一絕緣層中且位于所述密封環(huán)區(qū)內(nèi)，其中所述第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)包括一環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)，所述環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)包括至少二層多晶硅層，以及設(shè)置于多個(gè)多晶硅層間的一介電層；以及

一鈍化層，位于所述第二絕緣層及所述第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)之上；

其中，所述密封環(huán)區(qū)圍繞所述晶片區(qū)，其中所述第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述晶片區(qū)，且所述第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣層為一層間介電層，以及所述第二絕緣層為一金屬間介電層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層堆疊包括：

多個(gè)第一接觸件，埋置在所述第一絕緣層中且與所述襯底中的一摻雜區(qū)接觸；以及

多層金屬層，埋置在所述第二絕緣層中，所述多層金屬層通過多個(gè)引線孔相互電連接，其中所述多層金屬層的最底層與所述多個(gè)第一接觸件電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)與晶片區(qū)的一柵極結(jié)構(gòu)位于同一層級(jí)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述襯底中的一隔離結(jié)構(gòu)之上。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)更包括一第二接觸件，其中所述第二接觸件設(shè)置于所述環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)之上且僅設(shè)置于所述第一絕緣層中，并且所述第二接觸件與所述多個(gè)第一接觸件直接接觸至所述多層金屬層的最底層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多層金屬層堆疊所包括的所述多個(gè)第一接觸件及/或所述多個(gè)引線孔為環(huán)型，以及所述第二接觸件為孔型。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二密封環(huán)結(jié)構(gòu)更包括多個(gè)環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)之間距在約0.2微米至約10微米的范圍。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個(gè)環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)通過多個(gè)塊狀連接部連接而形成一H型環(huán)型結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一個(gè)所述環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)分別具有多個(gè)突出部，所述多個(gè)突出部突出于所對(duì)應(yīng)的環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且所述多個(gè)環(huán)型多晶硅結(jié)構(gòu)的所述多個(gè)突出部彼此交錯(cuò)。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶片區(qū)的一邊緣與所述第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)之間距不小于10微米。

12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一襯底，具有一晶片區(qū)以及一密封環(huán)區(qū)；

一絕緣層，位于所述襯底之上；

一外側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)，埋置于所述絕緣層中且位于所述密封環(huán)區(qū)內(nèi)，其中所述外側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層堆疊；

一內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)，埋置于所述絕緣層中且位于所述密封環(huán)區(qū)內(nèi)，其中所述內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)包括一第二金屬層堆疊；以及

一鈍化層，位于所述外側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)及所述內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)之上；

其中，所述密封環(huán)區(qū)圍繞所述晶片區(qū)，其中所述內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述晶片區(qū)，所述外側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)，并且所述外側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)與所述內(nèi)側(cè)密封環(huán)結(jié)構(gòu)通過多個(gè)塊狀連接部連接而形成一H型環(huán)型結(jié)構(gòu)，以及，其中，所述鈍化層具有一開口，并且所述開口露出所述多個(gè)塊狀連接部的一部分。