[發(fā)明專利]框架一體型掩模的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910170860.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110241382A | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李炳一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TGO科技株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模 一體型 工藝區(qū)域 掩模單元 制造 溫度降低 溫度提升 粘合 支撐 | ||
本發(fā)明涉及一種框架一體型掩模的制造方法。本發(fā)明涉及框架一體型掩模的制造方法,該框架一體型掩模由至少一個(gè)掩模(100)與用于支撐掩模(100)的框架(200)形成為一體,其包括以下步驟:(a)提供具有至少一個(gè)掩模單元區(qū)域(CR)的框架(200);(b)使掩模(100)與框架(200)的掩模單元區(qū)域(CR)對(duì)應(yīng);(c)將包括框架(200)的工藝區(qū)域的溫度提升至第一溫度(ET);(d)將掩模(100)的邊緣的至少一部分粘合到框架(200);以及(e)將包括框架(200)的工藝區(qū)域的溫度降低至第二溫度(LT)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種框架一體型掩模的制造方法。更加詳細(xì)而言,涉及能夠?qū)⒀谀Ec框架形成一體,并且能夠使各個(gè)掩模之間的對(duì)準(zhǔn)(align)精確的框架一體型掩模的制造方法。
背景技術(shù)
最近,正在進(jìn)行薄板制造中的有關(guān)電鑄(Electroforming)方法的研究。電鑄方法是在電解液中浸漬陽(yáng)極和陰極,并施加電源,使金屬薄板在陰極的表面上電沉積,因而是能夠制造電極薄板并且有望大量生產(chǎn)的方法。
另一方面,作為OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)制造工藝中形成像素的技術(shù),主要使用FMM(Fine Metal Mask,精細(xì)金屬掩模)方法,該方法將薄膜形式的金屬掩模(Shadow Mask,陰影掩模)緊貼于基板并且在所需位置上沉積有機(jī)物。
在現(xiàn)有的OLED制造工藝中,將掩模制造成條狀、板狀等后,將掩模焊接固定到OLED像素沉積框架并使用。一個(gè)掩模上可以具備與一個(gè)顯示器對(duì)應(yīng)的多個(gè)單元。另外,為了制造大面積OLED,可將多個(gè)掩模固定于OLED像素沉積框架,在固定于框架的過程中,拉伸各個(gè)掩模,以使其變得平坦。調(diào)節(jié)拉伸力以使掩模的整體部分變得平坦是非常困難的作業(yè)。特別是,為了使各個(gè)單元全部變得平坦,同時(shí)對(duì)準(zhǔn)尺寸僅為數(shù)μm至數(shù)十μm的掩模圖案,需要微調(diào)施加到掩模各側(cè)的拉伸力并且實(shí)時(shí)確認(rèn)對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)的高度作業(yè)要求。
盡管如此,在將多個(gè)掩模固定于一個(gè)框架過程中,仍然存在掩模之間以及掩模單元之間對(duì)準(zhǔn)不好的問題。另外,在將掩模焊接固定于框架的過程中,掩模膜的厚度過薄且面積大,因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的問題。
在超高清的OLED中,現(xiàn)有的QHD(Quarter High Definition,四分之一高清)畫質(zhì)為500-600PPI(pixel per inch,每英寸像素),像素的尺寸達(dá)到約30-50μm,而4K UHD(Ultra High Definition,超高清)、8K UHD高清具有比之更高的~860PPI,~1600PPI等的分辨率。如此,考慮到超高清的OLED的像素尺寸,需要將各單元之間的對(duì)準(zhǔn)誤差縮減為數(shù)μm程度,超出這一誤差將導(dǎo)致產(chǎn)品的不良,所以收率可能極低。因此,需要開發(fā)能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形并且使對(duì)準(zhǔn)精確的技術(shù),以及將掩模固定于框架的技術(shù)等。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
因此,本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題而提出的,其目的在于,提供一種框架一體型掩模的制造方法,能夠形成掩模與框架的一體式結(jié)構(gòu)。
另外,本發(fā)明的目的在于,提供一種框架一體型掩模的制造方法,能夠防止掩模下垂或者扭曲等變形并且使對(duì)準(zhǔn)精確。
另外,本發(fā)明的目的在于,提供一種框架一體型掩模的制造方法,顯著縮短制造時(shí)間,并且顯著提升收率。
技術(shù)方案
本發(fā)明的上述目的通過一種框架一體型掩模的制造方法達(dá)成,該方法將至少一個(gè)掩模與用于支撐掩模的框架形成一體,其包括以下步驟:(a)提供具有至少一個(gè)掩模單元區(qū)域的框架;(b)使掩模與框架的掩模單元區(qū)域?qū)?yīng);(c)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度提升至第一溫度;(d)將掩模的邊緣的至少一部分粘合到框架;以及(e)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度降低至第二溫度。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





