[發(fā)明專利]框架一體型掩模的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910170860.2
• 申請日: 2019-03-07
• 公開（公告）號: CN110241382A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李炳一
• 申請（專利權(quán)）人: TGO科技株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種框架一體型掩模的制造方法，所述框架一體型掩模由至少一個掩模與用于支撐掩模的框架形成為一體，其特征在于，包括以下步驟：

(a)提供具有至少一個掩模單元區(qū)域的框架；

(b)使掩模與框架的掩模單元區(qū)域?qū)?yīng)；

(c)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度提升至第一溫度；

(d)將掩模的邊緣的至少一部分粘合到框架；以及

(e)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度降低至第二溫度。

2.一種框架一體型掩模的制造方法，所述框架一體型掩模由至少一個掩模與用于支撐掩模的框架形成為一體，其特征在于，包括以下步驟：

(a)提供具有至少一個掩模單元區(qū)域的框架；

(b)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度提升至第一溫度；

(c)使掩模與框架的掩模單元區(qū)域?qū)?yīng)；

(d)將掩模的邊緣的至少一部分粘合到框架；以及

(e)將包括框架的工藝區(qū)域的溫度降低至第二溫度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

步驟(a)包括以下步驟：

(a1)提供包括中空區(qū)域的邊緣框架部；以及

(a2)將具備多個掩模單元區(qū)域的掩模單元片材部連接至邊緣框架部，以制造框架。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

步驟(a)包括：

(a1)提供包括中空區(qū)域的邊緣框架部；

(a2)將平面狀的掩模單元片材部連接至邊緣框架部；以及

(a3)在掩模單元片材部形成多個掩模單元區(qū)域，以制造框架。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

第一溫度是高于或者等于OLED像素沉積工藝溫度的溫度，

第二溫度是至少低于第一溫度的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

第一溫度為25℃至60℃中的任意一個溫度，

第二溫度為低于第一溫度且20℃至30℃中的任意一個溫度，

OLED像素沉積工藝溫度為25℃至45℃中的任意一個溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

在使掩模與掩模單元區(qū)域?qū)?yīng)時，不對掩模進(jìn)行拉伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

當(dāng)將工藝區(qū)域的溫度降低至第二溫度時，粘合于框架的掩模因收縮而受到張力。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

掩模單元片材部沿著第一方向、垂直于第一方向的第二方向中的至少一個方向具備多個掩模單元區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

使各個掩模與各個掩模單元區(qū)域分別對應(yīng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

掩模包括多個掩模單元，一個掩模單元位于一個掩模單元區(qū)域內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

掩模包括多個掩模單元，多個掩模單元位于一個掩模單元區(qū)域內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的框架一體型掩模的制造方法，其特征在于，

邊緣框架部的厚度厚于掩模單元片材部的厚度，

掩模單元片材部的厚度厚于掩模，

掩模單元片材部的厚度為0.1mm至1mm，

掩模的厚度為2μm至50μm。