[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201910170246.6 | 申請日: | 2019-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN111370397A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 方緒南;翁任賢 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝裝置,其包括:
電路層;
第一組堆疊組件,其安置于所述電路層上;
第一導電線,其電連接所述第一組堆疊組件;
界定于所述第一組堆疊組件與所述電路層之間的空間,所述空間容納所述第一導電線;以及
電子組件,其安置于所述空間中。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置,其進一步包括包封所述第一組堆疊組件的第一絕緣層,其中所述第一絕緣層界定所述空間中的凹進部分以容納所述電子組件。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置,其進一步包括安置于所述凹進部分中以環繞所述電子組件的第二絕緣層,其中所述第二絕緣層的模數大于所述第一絕緣層的模數。
4.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置,其進一步包括安置于所述凹進部分中以環繞所述電子組件的第二絕緣層,其中所述第二絕緣層的膨脹系數CTE大于所述第一絕緣層的CTE。
5.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置,其中所述第一組堆疊組件通過所述第一絕緣層與所述電路層隔開。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝裝置,其中
所述第一導電線包括電連接到所述第一組堆疊組件中的至少兩個組件的第一部分,以及將所述第一組堆疊組件電連接到所述電路層的第二部分,且
其中所述第一組堆疊組件包括多個芯片,且所述芯片中的一者包括接觸所述第一導電線的所述第一部分和所述第一導電線的所述第二部分的墊。
7.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置,其中所述第一導電線包括從所述第一絕緣層暴露且電連接到所述電路層的至少兩個端子。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝裝置,其中所述電路層包括與所述第一導電線的至少兩個端子接觸的墊。
9.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置,其進一步包括:
電觸點,其將所述第一導電線的端子連接到所述電路層,其中所述第一導電線的所述端子從所述第一絕緣層暴露;以及
底部填充物,其安置于所述第一絕緣層與所述電路層之間,其中所述底部填充物環繞所述電觸點。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置,其中所述電子組件包含控制器。
11.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置,其包括:
第二組堆疊組件,其安置于所述電路層上;以及
第二導電線,其電連接所述第二組堆疊組件;
其中所述第一組堆疊組件、所述第二組堆疊組件和所述電路層界定所述空間;且其中所述空間容納所述第二導電線。
12.一種半導體封裝裝置,其包括:
電路層;
安置于所述電路層上的第一組堆疊芯片,所述第一組堆疊芯片包括第一芯片,以及安置于所述第一芯片上的第二芯片;
第一導電線,其電連接到所述第一芯片;
第二導電線,其電連接到所述第二芯片;以及
第一絕緣層,其包封所述第一組堆疊芯片、所述第一導電線的一部分和所述第二導電線的一部分,
其中所述第一導電線包括從所述第一絕緣層暴露且電連接到所述電路層的端子,且所述第二導電線包括從所述第一絕緣層暴露且電連接到所述電路層的第一端子。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝裝置,其中所述電路層包括與所述第一導電線的所述端子和所述第二導電線的所述第一端子接觸的墊。
14.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置,其中所述第二導電線進一步包括從所述第一絕緣層暴露以接觸所述電路層的所述墊的第二端子。
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