[發明專利]雙柵薄膜晶體管、傳感器及制作方法

有效

• 申請號: 201910169239.4
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN109764983B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 曾勇;陳周煜;林濱;付婉霞;樂發墊;霍亞洲;王洋
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G01L1/16
• 分類號: G01L1/16;G01L9/08;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種雙柵薄膜晶體管，其特征在于，其包括：

應力傳感層，所述應力傳感層設置于底柵極和頂柵極之間，且所述應力傳感層與所述底柵極和所述頂柵極之間均設有底柵極絕緣層；

其中，對所述底柵極施加第一預設電壓，對所述頂柵極施加第二預設電壓，所述第一預設電壓大于所述第二預設電壓，在所述應力傳感層形成內建電場降低所述底柵極和所述頂柵極之間的有效柵極電壓，則源漏電流與外部壓力成反比；

或所述第一預設電壓小于所述第二預設電壓，在所述應力傳感層形成內建電場增強所述底柵極和所述頂柵極之間的有效柵極電壓，則源漏電流與外部壓力成正比。

2.根據權利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，其特征在于：

所述應力傳感層為壓電材料。

3.根據權利要求2所述的雙柵薄膜晶體管，其特征在于：

所述應力傳感層位于所述底柵極的正投影上方。

4.根據權利要求3所述的雙柵薄膜晶體管，其特征在于：

所述應力傳感層的正投影覆蓋所述底柵極。

5.根據權利要求1所述的雙柵薄膜晶體管，其特征在于：

所述應力傳感層包括多個應力傳感單元；

所述應力傳感單元包括壓電材料、底柵極絕緣層，所述壓電材料的上下兩端分別設置所述底柵極絕緣層；

其中，所述多個應力傳感單元層疊設置。

6.根據權利要求3所述的雙柵薄膜晶體管，其特征在于：

還包括襯底、有源層、源/漏電極以及頂柵極絕緣層；

所述襯底設置在所述底柵極下方；

所述頂柵極絕緣層、所述源/漏電極以及所述有源層由上至下依次設置在所述頂柵極下方。

7.一種傳感器，其特征在于，其包括：

多個權利要求1-6中任一所述的雙柵薄膜晶體管。

8.制作權利要求1-6任一所述雙柵薄膜晶體管的方法，其特征在于，其包括如下步驟：

在襯底上制備底柵極，并對其進行圖形化處理；

在所述底柵極上制備底柵極絕緣層，并對其進行圖形化處理；

在所述底柵極絕緣層上制備應力傳感層，并對其進行圖形化處理；

在所述應力傳感層上制備底柵極絕緣層，并對其進行圖形化處理，使所述應力傳感層包裹在相鄰兩底柵極絕緣層之間；

在所述底柵極絕緣層上方沉積頂柵極，并對其進行圖形化處理。

9.根據權利要求8所述制備所述雙柵薄膜晶體管的方法，其特征在于，所述在襯底上制備底柵極，并對其進行圖形化處理的方法；

之前還包括所述襯底的預處理，對所述襯底進行清洗。

10.根據權利要求8所述制備所述雙柵薄膜晶體管的方法，其特征在于，在所述應力傳感層上制備底柵極絕緣層，并對其進行圖形化處理，使所述應力傳感層包裹在相鄰兩底柵極絕緣層之間的方法：

之后還包括：

在所述底柵極絕緣層上制備有源層，并對其進行圖形化處理；

在所述有源層上制備源/漏電極，并對其進行圖形化處理；

在所述源/漏電極上制備頂柵極絕緣層，并對部分所述源/漏電極進行覆蓋，防止其與所述頂柵極接觸。