[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910166097.6
• 申請(qǐng)日: 2019-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN109888107A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐敬超;張文君;石磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州眾能光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/44
• 分類號(hào): H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法，包括玻璃襯底層、透明導(dǎo)電薄膜層、第一接觸層、鈣鈦礦吸光層、第二接觸層、金屬電極，一種鈣鈦礦太陽能組件的制備方法，包括如下步驟：步驟一：透明導(dǎo)電薄膜表面涂敷保護(hù)層；步驟二：透明導(dǎo)電薄膜層形成若干個(gè)狹縫；步驟三：玻璃襯底層也形成若干個(gè)狹縫；步驟四：清除殘留保護(hù)層；步驟五：填埋金屬柵線得到金屬柵線鑲嵌的透明導(dǎo)電玻璃襯底；步驟六：得到潔凈的金屬柵線鑲嵌的透明導(dǎo)電玻璃襯底；步驟七：表面沉積第一接觸層；步驟八：沉積鈣鈦礦吸光層；步驟九：沉積第二接觸層；步驟十：在第二接觸層上真空蒸鍍Ag、Cu、Al、Ni、Ti中的至少一種，得到太陽能組件成品。本發(fā)明柵線填埋工藝簡(jiǎn)單且成本低廉，性能優(yōu)良且重復(fù)性高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法。

背景技術(shù)

作為新型光伏技術(shù)的一種，鈣鈦礦太陽能電池憑借其超高的能量轉(zhuǎn)換效率、低廉的制作成本和廣泛的原料來源等諸多優(yōu)勢(shì)，在短短數(shù)年內(nèi)呈現(xiàn)出指數(shù)式發(fā)展。越來越多的研究人員認(rèn)為鈣鈦礦光伏技術(shù)具備進(jìn)入主流光伏技術(shù)如晶硅技術(shù)、CIGS薄膜技術(shù)等領(lǐng)域的潛力，因而，實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦光伏技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室制備過渡到規(guī)模化和機(jī)械化生產(chǎn)的過程變得尤為重要。眾所周知，大面積鈣鈦礦太陽能組件中金屬柵線的填埋工藝十分關(guān)鍵，柵線填埋效果的好壞直接決定著組件的光電性能和制作良率，優(yōu)化改進(jìn)鈣鈦礦太陽能組件的柵線填埋工藝，提升組件的效率和重復(fù)率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中的不足，提供一種鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種鈣鈦礦太陽能組件，包括玻璃襯底層、透明導(dǎo)電薄膜層、第一接觸層、鈣鈦礦吸光層、第二接觸層、金屬電極，所述玻璃襯底層、金屬柵線、透明導(dǎo)電薄膜層、第一接觸層、鈣鈦礦吸光層、第二接觸層、金屬電極依次從下到上依次排列，所述玻璃襯底層通過透明導(dǎo)電薄膜層與第一接觸層固定連接，所述第一接觸層通過鈣鈦礦吸光層與第二接觸層固定連接，所述第二接觸層與金屬電極固定連接，所述玻璃襯底層內(nèi)、透明導(dǎo)電薄膜層內(nèi)都設(shè)有金屬柵線。

作為優(yōu)選，透明導(dǎo)電薄膜層的材料為FTO氟摻氧化錫、ITO銦摻氧化錫、AZO鋁摻氧化鋅、ATO鋁摻氧化錫、IGO銦摻氧化鎵中的至少一種。

作為優(yōu)選，金屬柵線為銀柵線、銅柵線、鋁柵線、鉬柵線、鎳柵線中的至少一種。

作為優(yōu)選，所述鈣鈦礦吸光層包括QMZ₃型鈣鈦礦材料，其中，所述Q為Cs⁺、K+、CH₃NH₃⁺、C(NH₂)₃⁺、CH(NH₂)₂⁺中的至少一種，所述M為Pb²⁺、Sn²⁺中的至少一種，所述Z為Br^-、I^-、Cl^-中的至少一種。

作為優(yōu)選，第一接觸層、第二接觸層都由p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體組成，所述p型半導(dǎo)體為NiO、CuSCN、CuI、ADO₂型銅鐵礦半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述n型半導(dǎo)體為富勒烯、富勒烯衍生物、TiO₂、XBO₃型鈣鈦礦半導(dǎo)體材料、Zn₂SnO₄、SnO₂、ZnO中的至少一種。

作為優(yōu)選，金屬電極為Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Ti中的至少一種。

作為優(yōu)選，金屬柵線的寬度應(yīng)不小于100nm，所述金屬柵線的高度不低于1μm。

一種鈣鈦礦太陽能組件的制備方法，包括如下步驟：