[發明專利]一種鈣鈦礦太陽能組件及其制備方法

在審

• 申請號: 201910166097.6
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN109888107A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 徐敬超;張文君;石磊
• 申請（專利權）人: 杭州眾能光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，包括玻璃襯底層(1)、透明導電薄膜層(3)、第一接觸層(4)、鈣鈦礦吸光層(5)、第二接觸層(6)、金屬電極(7)，所述玻璃襯底層(1)、金屬柵線(2)、透明導電薄膜層(3)、第一接觸層(4)、鈣鈦礦吸光層(5)、第二接觸層(6)、金屬電極(7)依次從下到上依次排列，所述玻璃襯底層(1)通過透明導電薄膜層(3)與第一接觸層(4)固定連接，所述第一接觸層(4)通過鈣鈦礦吸光層(5)與第二接觸層(6)固定連接，所述第二接觸層(6)與金屬電極(7)固定連接，所述玻璃襯底層(1)內、透明導電薄膜層(3)內都設有金屬柵線(2)。

2.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述透明導電薄膜層(3)的材料為FTO(氟摻氧化錫)、ITO(銦摻氧化錫)、AZO(鋁摻氧化鋅)、ATO(鋁摻氧化錫)、IGO(銦摻氧化鎵)中的至少一種。

3.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述金屬柵線(2)為銀柵線、銅柵線、鋁柵線、鉬柵線、鎳柵線中的至少一種。

4.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層(5)包括QMZ₃型鈣鈦礦材料，其中，所述Q為Cs⁺、K+、CH₃NH₃⁺、C(NH₂)₃⁺、CH(NH₂)₂⁺中的至少一種，所述M為Pb²⁺、Sn²⁺中的至少一種，所述Z為Br^-、I^-、Cl^-中的至少一種。

5.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述第一接觸層(4)、第二接觸層(6)都由p型半導體、n型半導體組成，所述p型半導體為NiO、CuSCN、CuI、ADO₂型銅鐵礦半導體材料中的至少一種，所述n型半導體為富勒烯、富勒烯衍生物、TiO₂、XBO₃型鈣鈦礦半導體材料、Zn₂SnO₄、SnO₂、ZnO中的至少一種。

6.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述金屬電極(7)為Ag、Cu、Al、Cr、Ni、Ti中的至少一種。

7.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦太陽能組件，其特征在于，所述金屬柵線(2)的寬度應不小于100nm，所述金屬柵線(2)的高度不低于1μm。