[發(fā)明專利]金屬掩膜及其打孔方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910163679.9
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN111660018A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 林進志
• 申請（專利權）人: 陜西坤同半導體科技有限公司
• 主分類號: B23K26/382
• 分類號: B23K26/382
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11315
• 代理人: 李有財

本發(fā)明涉及一種金屬掩膜及其打孔方法，該打孔方法包括以下步驟：提供一金屬掩膜；第一次調(diào)整打孔角度，在金屬掩膜上進行第一次打孔，使金屬掩膜的一表面形成孔洞入口區(qū)；以及第二次或多次調(diào)整打孔角度，在孔洞入口區(qū)上進行第二次或多次打孔，使金屬掩膜的相對另一表面形成孔洞出口區(qū)。該金屬掩膜包括：金屬掩膜本體，具有相對的兩表面以及多個貫通兩表面的開孔，各個開孔包括孔洞入口區(qū)和孔洞出口區(qū)，孔洞入口區(qū)設置于金屬掩膜的其中一表面，孔洞出口區(qū)設置于金屬掩膜的另一表面。本發(fā)明通過控制激光束對金屬掩膜進行多次打孔，進而控制激光束每一次的打孔角度，從而實現(xiàn)控制在金屬掩膜上形成的孔洞的大小。

技術領域

本發(fā)明涉及一種打孔方法，特別是涉及一種金屬掩膜及其打孔方法。

背景技術

現(xiàn)有技術的復合性材料金屬掩膜技術中，在打孔時通常采用激光(雷射)打孔，其打孔方式為通過激光照射金屬掩膜，一次性將金屬掩膜打通，進而在金屬掩膜上形成孔洞。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題：

該打孔方式由于是一次性將金屬掩膜打通，所以每一次打孔也將決定整個打孔的角度，無法進行金屬掩膜開口角度的控制。例如在金屬掩膜批量生產(chǎn)時,生產(chǎn)商往往會將激光的功率調(diào)大，通過增大激光的功率，來增加打孔速度，以實現(xiàn)快速生產(chǎn)，但是在增加激光功率的同時，會導致在金屬掩膜上打出的孔洞變得較大，進而影響生產(chǎn)產(chǎn)品品質(zhì)異常(如混色異常)，因此急需一種新的金屬掩膜的打孔方法，以解決現(xiàn)有技術的打孔方式存在的開孔角度無法控制，導致在金屬掩膜上打出的孔洞較大的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術中打孔方式存在的開孔角度無法控制，導致在金屬掩膜上打出的孔洞較大的問題，本發(fā)明實施例提供了一種金屬掩膜及其打孔方法。具體的技術方案如下：

第一方面，提供一種金屬掩膜的打孔方法，其中金屬掩膜的打孔方法包括以下步驟：

提供一金屬掩膜；

第一次調(diào)整打孔角度，在金屬掩膜上進行第一次打孔，使金屬掩膜的一表面形成孔洞入口區(qū)；以及

第二次或多次調(diào)整打孔角度，在孔洞入口區(qū)上進行第二次或多次打孔，使金屬掩膜的相對另一表面形成孔洞出口區(qū)；

其中，孔洞入口區(qū)的打孔角度小于孔洞出口區(qū)的打孔角度。

在第一方面的第一種可能實現(xiàn)方式中，第一次打孔及第二次或多次打孔的方法還包括以下步驟：控制激光束，照射金屬掩膜，使金屬掩膜的兩表面形成孔洞入口區(qū)和孔洞出口區(qū)。

結(jié)合第一方面的第一種可能實現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能實現(xiàn)方式中，通過調(diào)整激光束的功率而調(diào)整打孔角度，并且激光束的功率越小，打孔角度越大。

結(jié)合第一方面的第二種可能實現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能實現(xiàn)方式中，第一次打孔時，控制激光束的步驟還包括：控制激光束的功率，使激光束具有第一打孔角度；以及控制激光束照射金屬掩膜的一表面，并控制其照射時間，在金屬掩膜的一表面形成孔洞入口區(qū)。

結(jié)合第一方面的第三種可能實現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能實現(xiàn)方式中，第二次打孔時，控制激光束的步驟還包括：減小激光束的功率，使激光束具有第二打孔角度；以及控制激光束照射孔洞入口區(qū)，并控制其照射時間，使激光束打通孔洞入口區(qū)，在金屬掩膜的另一表面形成孔洞出口區(qū)。

結(jié)合第一方面的第四種可能實現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能實現(xiàn)方式中，多次打孔時，控制激光束的步驟還包括：依次減小激光束的功率，使激光束具有對應的打孔角度；以及依次控制激光束照射孔洞入口區(qū)，并控制其對應的照射時間，并使最后一次激光束打通孔洞入口區(qū)，在金屬掩膜的另一表面形成孔洞出口區(qū)。