[發明專利]金屬掩膜及其打孔方法

在審

• 申請號: 201910163679.9
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN111660018A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 林進志
• 申請（專利權）人: 陜西坤同半導體科技有限公司
• 主分類號: B23K26/382
• 分類號: B23K26/382
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 李有財

1.一種金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，所述金屬掩膜的打孔方法包括以下步驟：

提供一金屬掩膜；

第一次調整打孔角度，在所述金屬掩膜上進行第一次打孔，使所述金屬掩膜的一表面形成孔洞入口區；以及

第二次或多次調整打孔角度，在所述孔洞入口區上進行第二次或多次打孔，使所述金屬掩膜的相對另一表面形成孔洞出口區；

其中，所述孔洞入口區的所述打孔角度小于所述孔洞出口區的所述打孔角度。

2.根據權利要求1所述的金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，所述第一次打孔及所述第二次或多次打孔的方法還包括以下步驟：

控制激光束，照射所述金屬掩膜，使所述金屬掩膜的所述兩表面形成所述孔洞入口區和所述孔洞出口區。

3.根據權利要求2所述的金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，通過調整所述激光束的功率而調整所述打孔角度，并且所述激光束的功率越小，所述打孔角度越大。

4.根據權利要求3所述的金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，所述第一次打孔時，所述控制激光束的步驟還包括：

控制所述激光束的功率，使所述激光束具有第一打孔角度；以及

控制所述激光束照射所述金屬掩膜的一表面，并控制其照射時間，在所述金屬掩膜的所述一表面形成所述孔洞入口區。

5.根據權利要求4所述的金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，所述第二次打孔時，所述控制激光束的步驟還包括：

減小所述激光束的功率，使所述激光束具有第二打孔角度；以及

控制所述激光束照射所述孔洞入口區，并控制其照射時間，使所述激光束打通所述孔洞入口區，在所述金屬掩膜的所述另一表面形成所述孔洞出口區。

6.根據權利要求4所述的金屬掩膜的打孔方法，其特征在于，所述多次打孔時，所述控制激光束的步驟還包括：

依次減小所述激光束的功率，使所述激光束具有對應的打孔角度；以及

依次控制所述激光束照射所述孔洞入口區，并控制其對應的照射時間，并使最后一次所述激光束打通所述孔洞入口區，在所述金屬掩膜的所述另一表面形成所述孔洞出口區。

7.一種金屬掩膜，其特征在于，所述金屬掩膜包括：

金屬掩膜本體，具有相對的兩表面以及多個貫通所述兩表面的開孔，各個所述開孔包括孔洞入口區和孔洞出口區，所述孔洞入口區設置于所述金屬掩膜本體的其中一所述表面，所述孔洞出口區設置于所述金屬掩膜本體的另一所述表面，所述孔洞入口區與所述孔洞出口區銜接設置，所述孔洞入口區的開孔角度大于所述孔洞出口區的開孔角度。

8.根據權利要求7所述的金屬掩膜，其特征在于，所述金屬掩膜本體還包括：

第一鎳鐵合金層；

聚酰亞胺層，設置于所述第一鎳鐵合金層上；以及

第二鎳鐵合金層，設置于所述聚酰亞胺層上；

其中，所述多個開孔貫通所述第一鎳鐵合金層、聚酰亞胺層及第二鎳鐵合金層。

9.根據權利要求8所述的金屬掩膜，其特征在于，所述第一鎳鐵合金層和所述第二鎳鐵合金層的厚度為2-10μm。

10.根據權利要求8所述的金屬掩膜，其特征在于，所述聚酰亞胺層的厚度為10-20μm。