[發明專利]半導體封裝結構有效
| 申請號: | 201910163031.1 | 申請日: | 2019-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN110400755B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 韓偉國;張景堯;徐世豐 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構,其特征在于,包括:
第一導體;
第一接合層,設置于所述第一導體;
第一導電片,包括彼此相連的第一接合部與第一延伸部,所述第一接合部接合于所述第一接合層,其中所述第一導電片具有第一溝槽,且所述第一溝槽將所述第一接合部劃分為并列的二第一接合分支;以及
第二導電片,包括彼此相連的第二接合部與第二延伸部,所述第二接合部接合于所述第一接合層,其中所述第二導電片具有第二溝槽,且所述第二溝槽將所述第二接合部劃分為并列的二第二接合分支,所述第二延伸部并列于所述第一延伸部,其中所述第二接合部反向于所述第一接合部,且所述第二延伸部位于所述第一延伸部與所述第二接合部之間,所述第一延伸部與所述第二延伸部相抵靠。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一導電片還包括第一連接部,用以連接第一接合部與第一延伸部,且所述第一溝槽自所述第一接合部朝向所述第一連接部延伸,所述第二導電片還包括第二連接部,用以連接第二接合部與第二延伸部,且所述第二溝槽自所述第二接合部朝向所述第二連接部延伸。
3.如權利要求2所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一連接部與所述第二連接部并列設置于所述第一接合部與所述第二接合部之間。
4.如權利要求2所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一溝槽進一步延伸至所述第一連接部,且所述第一連接部被所述第一溝槽劃分為并列的二第一連接分支。
5.如權利要求4所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一溝槽進一步延伸至所述第一延伸部。
6.如權利要求2所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第二溝槽進一步延伸至所述第二連接部,且所述第二連接部被所述第二溝槽劃分為并列的二第二連接分支。
7.如權利要求6所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第二溝槽進一步延伸至所述第二延伸部。
8.如權利要求1所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一導電片還包括第三接合部,且所述第一接合部與所述第三接合部分別位于所述第一延伸部的相對兩側,所述第二導電片還包括第四接合部,且所述第二接合部與所述第四接合部分別位于所述第二延伸部的相對兩側,所述第三接合部反向于所述第四接合部,其中所述半導體封裝結構還包括相對于所述第一導體的第二導體與設置于所述第二導體的第二接合層,且所述第三接合部與所述第四接合部接合于所述第二接合層。
9.如權利要求1所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一溝槽對準所述第二溝槽。
10.如權利要求1所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第一導電片還具有第一側邊與相交于第一側邊的第二側邊,且所述第一溝槽自所述第一側邊朝向所述第一延伸部延伸,且所述第一溝槽的延伸方向平行于所述第二側邊。
11.如權利要求1所述的半導體封裝結構,其特征在于,所述第二導電片還具有第一側邊與相交于第一側邊的第二側邊,且所述第二溝槽自所述第一側邊朝向所述第二延伸部延伸,且所述第二溝槽的延伸方向平行于所述第二側邊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





