[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體鰭狀物的環(huán)繞式接觸部結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910162952.6
• 申請(qǐng)日: 2019-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110350034A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·梅漢德魯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體鰭狀物，其具有突出穿過(guò)溝槽隔離區(qū)的第一部分；

柵極結(jié)構(gòu)，其在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第一部分的頂部之上并且沿所述第一部分的側(cè)壁；

源極區(qū)或漏極區(qū)，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，所述源極區(qū)或漏極區(qū)包括處于所述半導(dǎo)體鰭狀物的第二部分上的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)具有與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第二部分對(duì)準(zhǔn)的大體上豎直的側(cè)壁；以及

導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)，其沿所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第二部分的側(cè)壁并且沿所述外延結(jié)構(gòu)的所述大體上豎直的側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述外延結(jié)構(gòu)包括在中心點(diǎn)處相遇的一對(duì)小面，并且其中，所述導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)還在所述一對(duì)小面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

沿所述導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一對(duì)電介質(zhì)間隔體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

第二源極區(qū)或漏極區(qū)，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，所述第二源極區(qū)或漏極區(qū)包括處于所述半導(dǎo)體鰭狀物的第三部分上的第二外延結(jié)構(gòu)，所述第二外延結(jié)構(gòu)具有與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第三部分對(duì)準(zhǔn)的大體上豎直的側(cè)壁；以及

第二導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)，其沿所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第三部分的側(cè)壁并且沿所述第二外延結(jié)構(gòu)的大體上豎直的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

第二源極區(qū)或漏極區(qū)，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，所述第二源極區(qū)或漏極區(qū)包括處于所述半導(dǎo)體鰭狀物的第三部分上的第二外延結(jié)構(gòu)，所述第二外延結(jié)構(gòu)具有沿橫向延伸超出所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第三部分的非豎直側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

一對(duì)電介質(zhì)間隔體，其沿所述第二外延結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第三部分，其中，所述第二外延結(jié)構(gòu)的所述非豎直側(cè)壁的點(diǎn)與所述一對(duì)電介質(zhì)間隔體接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述外延結(jié)構(gòu)包括不同于所述半導(dǎo)體鰭狀物的半導(dǎo)體材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括高k電介質(zhì)層以及包括金屬的柵極電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

電介質(zhì)插塞，其在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第二部分的與所述外延結(jié)構(gòu)相對(duì)的表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)還沿所述電介質(zhì)插塞的側(cè)壁。

11.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體鰭狀物，其具有突出穿過(guò)溝槽隔離區(qū)的第一部分；

柵極結(jié)構(gòu)，其在所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第一部分的頂部之上并且沿所述第一部分的側(cè)壁；

源極區(qū)或漏極區(qū)，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，所述源極區(qū)或漏極區(qū)包括所述半導(dǎo)體鰭狀物的處于電介質(zhì)插塞上的第二部分；

導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)，其沿所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第二部分的側(cè)壁并且沿所述電介質(zhì)插塞的側(cè)壁；以及

一對(duì)電介質(zhì)間隔體，其沿所述導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

第二源極區(qū)或漏極區(qū)，其在所述柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，所述第二源極區(qū)或漏極區(qū)包括所述半導(dǎo)體鰭狀物的處于第二電介質(zhì)插塞上的第三部分；以及

第二導(dǎo)電接觸部結(jié)構(gòu)，其沿所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述第三部分的側(cè)壁并且沿所述第二電介質(zhì)插塞的側(cè)壁。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括高k電介質(zhì)層以及包括金屬的柵極電極。