[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201910162935.2
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN111668306B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 林韋志;林安宏;王瀚倫
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體元件，包括：

襯底，具有第一導電型；

至少一柵極結構組合，每一所述柵極結構組合包括第一柵極結構與第二柵極結構，所述柵極結構組合配置在所述襯底上；

其中包含每一所述柵極結構組合的所述半導體元件，包括：

內摻雜區，具有第二導電型，其中所述內摻雜區位于所述襯底中，且所述內摻雜區與所述襯底直接接觸，所述內摻雜區夾在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間；

兩個外摻雜區，具有所述第二導電型，其中所述兩個外摻雜區位于所述襯底中，且所述兩個外摻雜區位于所述內摻雜區、所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之外的所述襯底中；以及

兩個淺摻雜區，具有所述第二導電型，其中所述兩個淺摻雜區位于所述襯底中，所述淺摻雜區包覆所述外摻雜區的側壁與底面，目所述內摻雜區的側壁與底面不被所述淺摻雜區所包覆。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其中所述內摻雜區為源極區，所述外摻雜區為漏極區。

3.根據權利要求2所述的半導體元件，其中所述兩個漏極區彼此電性連接。

4.根據權利要求1所述的半導體元件，其中所述外摻雜區的摻雜濃度大于所述淺摻雜區的摻雜濃度。

5.根據權利要求1所述的半導體元件，其中每一所述淺摻雜區隔開對應的所述外摻雜區與所述襯底。

6.一種半導體元件，包括：

襯底，具有第一導電型；

至少一柵極結構組合，每一所述柵極結構組合包括第一柵極結構與第二柵極結構，所述柵極結構組合配置在所述襯底上；

其中包含每一所述柵極結構組合的所述半導體元件，包括：

內摻雜區，具有第二導電型，其中所述內摻雜區位于所述襯底中，且所述內摻雜區夾在所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之間；

兩個外摻雜區，具有所述第二導電型，其中所述兩個外摻雜區位于所述襯底中，且所述兩個外摻雜區與所述襯底直接接觸，所述兩個外摻雜區位于所述內摻雜區、所述第一柵極結構與所述第二柵極結構之外的所述襯底中；以及

淺摻雜區，具有所述第二導電型，其中所述淺摻雜區位于所述襯底中，所述淺摻雜區包覆所述內摻雜區的側壁與底面，且所述外摻雜區的側壁與底面不被所述淺摻雜區所包覆。

7.根據權利要求6所述的半導體元件，其中所述內摻雜區的摻雜濃度大于所述淺摻雜區的摻雜濃度。

8.根據權利要求6所述的半導體元件，其中所述內摻雜區為源極區，所述外摻雜區為漏極區。