[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201910162651.3
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN110518000B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 莊博堯;蔡柏豪;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/58;H01L21/56;H01Q1/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例提供了半導體器件和制造方法。提供了半導體器件和制造工藝，其中，第一半導體器件電連接至再分布結構。天線襯底位于第一半導體器件的與再分布結構相對的側上；以及電連接件與第一半導體器件分隔開，并且將天線結構連接至再分布結構。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體領域，并且更具體地，涉及半導體器件和制造方法。

背景技術

由于各個電組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續改進，半導體工業已經經歷了快速增長。對于大部分而言，這種集成密度的改進來自于最小部件尺寸的連續減小(例如，將半導體工藝節點縮小至20nm節點以下)，這使得更多的組件集成到給定的區域。隨著近年來對小型化、更高的速度和更高的帶寬以及更低的功耗和延遲的需求的增長，對半導體管芯的更小且更具創造性的封裝技術的需求也已經出現。

隨著半導體技術的進一步發展，已經出現堆疊和接合的半導體器件作為進一步減小半導體器件的物理尺寸的有效替代方案。在堆疊的半導體器件中，諸如邏輯、存儲器、處理器電路等的有源電路至少部分地制造在單獨的襯底上，并且然后物理和電接合在一起，以形成功能器件。這種接合工藝利用復雜的技術，并且期望改進。

發明內容

根據本發明的實施例，提供了一種半導體器件，包括：再分布結構，連接至外部連接件；第一半導體器件，連接至所述再分布結構；天線襯底，位于所述第一半導體器件的與所述再分布結構相對的側上；以及電連接件，與所述第一半導體器件分隔開，所述第一半導體器件通過所述再分布結構和所述電連接件電連接至所述天線襯底。

根據本發明的實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在載體晶圓上方形成再分布結構；將第一半導體器件附接至所述再分布結構；將天線襯底電連接至所述再分布結構，其中，所述第一半導體器件位于所述天線襯底和所述再分布結構之間；以及去除所述載體晶圓。

根據本發明的實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在聚合物層上方形成襯底通孔；將第一半導體器件附接至所述聚合物層；用密封劑密封所述襯底通孔和所述第一半導體器件；平坦化所述密封劑直至所述第一半導體器件、所述密封劑和所述襯底通孔彼此平坦；在所述密封劑、所述襯底通孔和所述第一半導體器件上方形成再分布結構；在形成所述再分布結構之后圖案化所述聚合物層；以及通過所述聚合物層將天線襯底接合至所述襯底通孔。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1A至圖1G示出了根據一些實施例的集成扇出結構中的集成天線。

圖2A至圖2F示出了根據一些實施例的結合至集成扇出結構的熱通孔。

圖3A至圖3G示出了根據一些實施例的結合至集成扇出結構的通孔。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現本發明的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。