[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201910162651.3
• 申請日: 2019-03-05
• 公開（公告）號: CN110518000B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 莊博堯;蔡柏豪;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/58;H01L21/56;H01Q1/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

再分布結構，連接至外部連接件；

第一半導體器件，連接至所述再分布結構；

天線襯底，位于所述第一半導體器件的與所述再分布結構相對的側上；

電連接件，與所述第一半導體器件分隔開，所述第一半導體器件通過所述再分布結構和所述電連接件電連接至所述天線襯底；以及

天線結構，位于所述再分布結構內并且延伸穿過所述再分布結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括密封所述第一半導體器件的密封劑。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括位于所述電連接件內的天線結構。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述天線結構包括多個天線結構。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括延伸穿過所述天線襯底的熱通孔。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電連接件是襯底通孔。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一半導體器件是射頻芯片。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在載體晶圓上方形成再分布結構；

在形成所述再分布結構之后，將第一半導體器件附接至所述再分布結構；

將天線襯底電連接至所述再分布結構，其中，所述第一半導體器件位于所述天線襯底和所述再分布結構之間；以及

去除所述載體晶圓。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述再分布結構包括在所述再分布結構內同時形成天線。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一半導體器件是射頻芯片。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，電連接所述天線襯底包括將第一天線層和第二天線層電連接至所述再分布結構，其中，所述第一天線層與所述第二天線層成直角取向。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括在將所述天線襯底電連接至所述再分布結構之后密封所述第一半導體器件。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，附接所述天線襯底還包括：

形成與所述第一半導體器件分隔開的電連接件；以及

將所述天線襯底接合至所述電連接件。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，形成所述電連接件包括與電連接件同時形成天線。

15.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在載體晶圓上方的聚合物層上方形成再分布結構；

在所述聚合物層上方形成襯底通孔；

將第一半導體器件附接至所述聚合物層；

用密封劑密封所述襯底通孔和所述第一半導體器件；

平坦化所述密封劑直至所述第一半導體器件、所述密封劑和所述襯底通孔彼此平坦；

在所述密封劑、所述襯底通孔和所述第一半導體器件上方形成再分布結構；

在形成所述再分布結構之后圖案化所述聚合物層；以及

通過所述聚合物層將天線襯底接合至所述襯底通孔。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，形成所述再分布結構包括與所述再分布結構同時形成天線。

17.根據權利要求15所述的方法，其中，形成所述襯底通孔與所述襯底通孔同時形成天線。

18.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第一半導體器件是射頻芯片。