[發(fā)明專利]集成電路封裝件和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910162614.2
• 申請(qǐng)日: 2019-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN110970407B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余振華;葉松峯;陳明發(fā);陳憲偉;劉醇鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/46;H01L23/498
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種器件封裝件，包括：

第一管芯，在界面處直接接合至第二管芯，其中，所述界面包括導(dǎo)體至導(dǎo)體接合，所述界面包括所述第一管芯的第一金屬部件直接接觸所述第二管芯的第二金屬部件，將所述第一管芯的所述第一金屬部件設(shè)置在所述第一管芯的介電層中或所述第一管芯的半導(dǎo)體襯底中，并且所述第二管芯的所述第二金屬部件設(shè)置在所述第二管芯的介電層中，所述第一管芯的介電層或半導(dǎo)體襯底直接接觸所述第二管芯的介電層；

密封劑，圍繞所述第一管芯和所述第二管芯；

多個(gè)通孔，延伸穿過所述密封劑，其中，所述多個(gè)通孔鄰近所述第一管芯和所述第二管芯設(shè)置；

多個(gè)熱通孔，延伸穿過所述密封劑，其中，所述多個(gè)熱通孔設(shè)置于所述第二管芯的表面上并鄰近所述第一管芯；以及

重分布結(jié)構(gòu)，電連接至所述第一管芯、所述第二管芯和所述多個(gè)通孔，其中，所述多個(gè)通孔位于堆疊的所述第一管芯和第二管芯的外圍以構(gòu)成扇出部件，

其中，所述多個(gè)熱通孔，位于被所述扇出部件包圍的對(duì)接于所述第一管芯的所述第二管芯處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述第二管芯的介電層在所述界面處直接接合至所述半導(dǎo)體襯底，所述第一管芯還包括：

襯底通孔，延伸穿過所述半導(dǎo)體襯底，其中，所述第二管芯的接觸焊盤在所述界面處直接接合至所述襯底通孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件封裝件，其中，所述襯底通孔將所述第二管芯電連接至所述重分布結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述熱通孔在至少一個(gè)方向上橫向延伸經(jīng)過所述第一管芯的側(cè)壁并且比所述第一管芯長(zhǎng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件封裝件，其中，所述第一管芯包括延伸穿過半導(dǎo)體襯底的襯底通孔，其中，所述襯底通孔比所述半導(dǎo)體襯底延伸的更高。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件封裝件，還包括鈍化介電層，設(shè)置在所述第二管芯上方并且沿著所述第一管芯的側(cè)壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件封裝件，其中，所述鈍化介電層設(shè)置在所述多個(gè)熱通孔的底面和所述第二管芯的頂面之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件封裝件，還包括接觸焊盤，位于所述襯底通孔和所述鈍化介電層上，其中，所述接觸焊盤將所述襯底通孔電連接至所述重分布結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述多個(gè)熱通孔與所述第一管芯和所述第二管芯中的任何有源器件電隔離。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述多個(gè)熱通孔與所述第一管芯中的有源器件電連接。

11.一種封裝件包括：

第一管芯，混合接合至第二管芯，其中，所述第一管芯的背面直接接合至所述第二管芯的正面；

密封劑，封裝所述第一管芯和所述第二管芯；

重分布結(jié)構(gòu)，電連接至所述第一管芯和所述第二管芯；

多個(gè)熱通孔，從所述第一管芯的表面延伸至與所述重分布結(jié)構(gòu)相對(duì)的所述密封劑的表面，所述多個(gè)熱通孔與所述重分布結(jié)構(gòu)位于所述第一管芯的相對(duì)側(cè)；以及

多個(gè)通孔，從所述重分布結(jié)構(gòu)延伸至與所述重分布結(jié)構(gòu)相對(duì)的所述密封劑表面，

其中，所述多個(gè)通孔位于堆疊的所述第一管芯和第二管芯的外圍以構(gòu)成扇出部件，其中，所述多個(gè)熱通孔，位于被所述扇出部件包圍的對(duì)接于所述第二管芯的所述第一管芯處。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，所述第一管芯包括：

半導(dǎo)體襯底，直接接合至所述第二管芯的介電層；以及

襯底通孔，延伸穿過所述半導(dǎo)體襯底，其中，所述第二管芯的接觸焊盤直接接合至所述襯底通孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝件，其中，所述多個(gè)熱通孔中的每一個(gè)包括位于所述第一管芯的背面上的晶種層。