[發明專利]晶圓凹口拋光裝置及晶圓凹口拋光方法

在審

• 申請號: 201910161389.0
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109926911A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 潘雪明;李鑫;蘇靜洪
• 申請（專利權）人: 天通日進精密技術有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B39/06;B24B1/00
• 代理公司: 上海巔石知識產權代理事務所(普通合伙) 31309
• 代理人: 張明;王再朝

本申請公開一種晶圓凹口拋光裝置及晶圓凹口拋光方法，其中，所述晶圓凹口拋光裝置包括晶圓承載臺和晶圓凹口拋光機構，其中，晶圓凹口拋光機構可包括拋光滾輪、滾輪旋轉電機、以及滾輪移位機構，利用滾輪移位機構驅動拋光滾輪移位至對應晶圓承載臺所承載的晶圓的凹口，使得被滾輪旋轉電機驅動的拋光滾輪針對晶圓的凹口進行凹口拋光。本申請晶圓凹口拋光裝置及晶圓凹口拋光方法，結構簡單，操作簡便，提高了晶圓凹口拋光的效率。

技術領域

本申請涉及晶圓加工技術領域，特別是涉及一種晶圓凹口拋光裝置及晶圓凹口拋光方法。

背景技術

一般，當硅結晶成很大的、在其大部分長度上為圓柱體之后，要把這種柱狀結晶材料切割成很薄的、成為硅晶片的圓片，由于其形狀為圓形，這樣的硅晶片也可稱為晶圓(Wafer)。在晶圓上可進一步加工制作成各種電路元件結構，從而成為有特定電性功能的集成電路產品。

隨著半導體技術朝向大尺寸晶圓的方向發展，對晶圓的表面顆粒度、幾何參數、邊緣及表面的粗糙度提出了更加嚴格的要求。例如在切片工藝中，切片所得的晶圓邊緣比較粗糙，存在凹凸不平、尖角等，這樣，在各種后續加工工藝中可能會受到外力的作用，當外力超出晶圓的最大負載或是應力過度集中時就會造成晶圓裂痕、晶圓破片等問題，嚴重影響晶圓工藝的良率，因此，會針對晶圓進行邊緣拋光作業，使得晶圓邊緣的損傷部分能被去除，得到光滑的晶圓邊緣。

以晶圓的邊緣拋光為例，相關工藝中，以中國專利公開文獻(公開號：CN1312747，發明名稱：拋光晶片邊緣的方法和設備)為例，公開有一種晶片邊緣的拋光設備，在利用所述晶片邊緣拋光設備進行邊緣拋光時，將晶片固定在真空卡盤上，由真空卡盤帶著晶片繞著中心線旋轉，使用一個用合成塑料制成的拋光輪與晶片旋轉的邊緣接觸，在繞著拋光輪的拋光表面設有凹槽，該凹槽的橫斷面與晶片邊緣的輪廓互補，通過拋光輪與晶片的邊緣之間發生相對運動，實現對晶片的邊緣進行拋光。但在上述晶片邊緣拋光設備中，拋光輪是設在真空卡盤的旁側，這無疑增加了設備的整體空間。另外，上述晶片邊緣拋光設備僅限于單純的晶片邊緣拋光，針對帶有定位結構(定位結構可例如為例如凹口notch、平邊flat等)的晶片，則無法完成晶片中定位結構的拋光。

實際上，以晶圓帶有定位結構為例，該晶圓的邊緣拋光可包括定位結構拋光及除定位結構之外的其他邊緣拋光，而其中的每一類拋光工藝可進一步包括粗拋光和精拋光等，這些細化的拋光工藝一般均需配置單獨的拋光設備，如此，就存在各個拋光設備之間布局、晶圓轉移等問題，操作繁瑣，效率低下，且在晶圓轉移過程中增加了晶圓損傷的風險。

發明內容

鑒于以上所述相關技術的缺失，本申請的目的在于公開一種晶圓凹口拋光裝置及晶圓凹口拋光方法，用于解決相關技術中結構復雜、操作繁瑣，效率低下等問題。

為實現上述目的及其他目的，本申請的第一方面公開一種晶圓凹口拋光裝置，包括：

晶圓承載臺，用于承載晶圓，所述晶圓具有作定位的凹口；

晶圓凹口拋光機構，包括：拋光滾輪；滾輪旋轉電機，用于驅動所述拋光滾輪旋轉；滾輪移位機構，用于驅動拋光滾輪移位至對應所述晶圓承載臺所承載的晶圓的凹口以令所述拋光滾輪針對所述晶圓的凹口進行凹口拋光。

在本申請第一方面的某些實施方式中，所述晶圓承載臺的頂部設有吸附單元。

在本申請第一方面的某些實施方式中，在所述晶圓承載臺上還設有晶圓限位結構。

在本申請第一方面的某些實施方式中，所述晶圓限位結構包括設置于所述晶圓承載臺外緣的多個限位塊或止擋條。

在本申請第一方面的某些實施方式中，所述晶圓凹口拋光裝置還包括承載臺旋轉電機，用于驅動所述晶圓承載臺旋轉。

在本申請第一方面的某些實施方式中，所述滾輪移位機構為三維移位機構，包括進退移位機構、升降移位機構、以及擺動移位機構。