[發明專利]晶圓多工位邊緣拋光設備

在審

• 申請號: 201910161384.8
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN109848826A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 潘雪明;李鑫;蘇靜洪
• 申請（專利權）人: 天通日進精密技術有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/20
• 代理公司: 上海巔石知識產權代理事務所(普通合伙) 31309
• 代理人: 張明;王再朝

本申請公開一種晶圓多工位邊緣拋光設備，至少集合了晶圓凹口拋光裝置和晶圓邊緣拋光裝置，可利用晶圓轉移裝置能將晶圓快速、平穩且無損傷地在各個作業裝置之間轉移，不僅能使得晶圓能在同一設備中依序完成晶圓凹口拋光作業和晶圓邊緣拋光作業，也能使得晶圓凹口拋光裝置和晶圓邊緣拋光裝置同時對相應的晶圓進行相應的作業，提高生產效率及晶圓邊緣拋光的作業品質。

技術領域

本申請涉及晶圓加工技術領域，特別是涉及一種晶圓多工位邊緣拋光設備。

背景技術

一般，當硅結晶成很大的、在其大部分長度上為圓柱體之后，要把這種柱狀結晶材料切割成很薄的、成為硅晶片的圓片，由于其形狀為圓形，這樣的硅晶片也可稱為晶圓(Wafer)。在晶圓上可進一步加工制作成各種電路元件結構，從而成為有特定電性功能的集成電路產品。

隨著半導體技術朝向大尺寸晶圓的方向發展，對晶圓的表面顆粒度、幾何參數、邊緣及表面的粗糙度提出了更加嚴格的要求。例如在切片工藝中，切片所得的晶圓邊緣比較粗糙，存在凹凸不平、尖角等，這樣，在各種后續加工工藝中可能會受到外力的作用，當外力超出晶圓的最大負載或是應力過度集中時就會造成晶圓裂痕、晶圓破片等問題，嚴重影響晶圓工藝的良率，因此，會針對晶圓進行邊緣拋光作業，使得晶圓邊緣的損傷部分能被去除，得到光滑的晶圓邊緣。

以晶圓的邊緣拋光為例，相關工藝中，以中國專利公開文獻(公開號：CN1312747，發明名稱：拋光晶片邊緣的方法和設備)為例，公開有一種晶片邊緣的拋光設備，在利用所述晶片邊緣拋光設備進行邊緣拋光時，將晶片固定在真空卡盤上，由真空卡盤帶著晶片繞著中心線旋轉，使用一個用合成塑料制成的拋光輪與晶片旋轉的邊緣接觸，在繞著拋光輪的拋光表面設有凹槽，該凹槽的橫斷面與晶片邊緣的輪廓互補，通過拋光輪與晶片的邊緣之間發生相對運動，實現對晶片的邊緣進行拋光。但在上述晶片邊緣拋光設備中，拋光輪是設在真空卡盤的旁側，這無疑增加了設備的整體空間。另外，上述晶片邊緣拋光設備僅限于單純的晶片邊緣拋光，針對帶有定位結構(定位結構可例如為例如凹口notch、平邊flat等)的晶片，則無法完成晶片中定位結構的拋光。

實際上，以晶圓帶有定位結構為例，該晶圓的邊緣拋光可包括定位結構拋光及除定位結構之外的其他邊緣拋光，而其中的每一類拋光工藝可進一步包括粗拋光和精拋光等，這些細化的拋光工藝一般均需配置單獨的拋光設備，如此，就存在各個拋光設備之間布局、晶圓轉移等問題，操作繁瑣，效率低下，且在晶圓轉移過程中增加了晶圓損傷的風險。

發明內容

鑒于以上所述相關技術的缺失，本申請的目的在于公開一種晶圓多工位邊緣拋光設備，用于解決相關技術中結構復雜、操作繁瑣，效率低下等問題。

本申請公開一種晶圓多工位邊緣拋光設備，包括：

機座，具有晶圓作業平臺；

一個或多個晶圓凹口拋光裝置，設置于所述晶圓作業平臺上，用于對晶圓的凹口進行凹口拋光；

一個或多個晶圓邊緣拋光裝置，設置于所述晶圓作業平臺上，用于對晶圓的邊緣進行邊緣拋光；

晶圓轉移裝置，設置于所述晶圓作業平臺上，用于轉移晶圓。

在本申請的某些實施方式中，所述晶圓多工位邊緣拋光設備包括至少一晶圓凹口拋光裝置，所述晶圓凹口拋光裝置包括：晶圓承載臺，用于承載晶圓，所述晶圓具有作定位的凹口；晶圓凹口拋光機構，包括：拋光滾輪；滾輪旋轉電機，用于驅動所述拋光滾輪旋轉；滾輪移位機構，用于驅動拋光滾輪移位至對應所述晶圓承載臺上的晶圓的凹口以令所述拋光滾輪針對所述晶圓的凹口進行凹口拋光。

在本申請的某些實施方式中，所述晶圓多工位邊緣拋光設備包括晶圓凹口粗拋光裝置和晶圓凹口精拋光裝置；