[發明專利]光學發射光譜儀的校準器

在審

• 申請號: 201910160116.4
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN110320183A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 文丁一;李衡周;宣鐘宇;具滋明;黃載雄;安宗煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;細美事有限公司
• 主分類號: G01N21/63
• 分類號: G01N21/63
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉美華

提供了一種光學發射光譜儀(OES)的校準器。該OES的校準器可以包括蓋、參考光源和控制器。蓋可以與等離子體處理設備的等離子體腔室的頂板可拆卸地結合。參考光源可以安裝在蓋處，以通過等離子體腔室的內部空間向OES照射參考光。控制器可以將入射到OES的參考光的光譜與在等離子體腔室中的等離子體處理期間輸入到OES的實際光的光譜進行比較以校準OES。因此，可以在不從等離子體室拆卸OES的情況下校準OES，以減少用于校準OES的時間。

本申請要求于2018年3月28日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2018-0035700號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的內容通過引用而全部包含于此。

技術領域

示例實施例涉及一種光學發射光譜儀的校準器。更具體地，示例實施例涉及一種用于校準光學發射光譜儀的校準器，該校準器可以診斷等離子體腔室中的等離子體狀態。

背景技術

通常，使用等離子體處理設備的等離子體腔室中的等離子體，可以在半導體基底上形成層，和/或可以蝕刻或清潔/灰化半導體基底上的層。可以根據等離子體狀態確定用于形成和/或蝕刻和/或清潔層的條件。因此，為了提高半導體裝置的生產率，可以使用光學發射光譜儀(optical emission spectroscopy，OES)來診斷等離子體狀態。然而，OES中的誤差會導致等離子體狀態的不準確診斷。因此，會需要校準OES。

在從等離子體腔室拆卸OES之后，可以將參考光照射到OES。可以將參考光的光譜與在等離子體處理中輸入到OES中的實際光的光譜進行比較，以校準OES。

通過從等離子體腔室拆卸OES，并通過將拆卸的OES轉移到包括參考光源的校準設備，OES的這種校準可以是可能的。此外，在校準OES之后，可以用等離子體腔室重新組裝OES。結果，用于校準OES的時間會很長。此外，在校準期間，OES會在OES的轉移期間被污染。

發明內容

示例實施例提供了一種光學發射光譜儀(OES)的校準器，所述校準器可以能夠在等離子體處理設備中校準OES。

根據一些示例實施例，可以提供一種OES的校準器。校準器可以包括：蓋，被配置為與等離子體腔室的頂板可拆卸地結合；參考光源，位于蓋處，參考光源被配置為通過等離子體腔室向OES照射參考光；以及控制器，被配置為通過將入射到OES的參考光的光譜與在等離子體腔室中執行的等離子體處理期間入射到OES的實際光的光譜進行比較來校準光學發射光譜儀。

根據一些示例實施例，可以提供一種OES的校準器。校準器可以包括：蓋，被配置為與等離子體腔室的頂板附接和拆卸；參考光源，位于蓋處，參考光源被配置為通過等離子體腔室向OES照射參考光；鏡子，位于蓋下方，鏡子相對于豎直方向傾斜，鏡子被配置為將在豎直方向上入射到等離子體腔室的參考光朝向視口反射，視口位于等離子體腔室的側壁處；漫射器，被配置為使從鏡子反射的參考光漫射；準直器，被配置為沿水平方向引導由漫射器漫射的參考光；以及控制器，被配置為通過將穿過準直器入射到OES的參考光的光譜與在等離子體腔室中執行的等離子體處理期間入射到OES的實際光的光譜進行比較來校準光學發射光譜儀。

根據一些示例實施例，可以提供一種OES的校準器。校準器可以包括：蓋，被配置為與等離子體腔室的頂板拆卸和附接；參考光源，位于蓋處，參考光源被配置為通過等離子體腔室向OES照射參考光；鏡子，位于蓋下方，鏡子相對于豎直方向傾斜，鏡子被配置為將在豎直方向上入射到等離子體腔室的參考光朝向位于等離子體腔室的側壁處的視口反射；漫射器，被配置為使從鏡子反射的參考光朝向視口漫射；透鏡，被配置為聚集由漫射器漫射的參考光；以及控制器，被配置為通過將穿過透鏡入射到OES的參考光的光譜與在等離子體腔室中執行的等離子體處理期間入射到OES的實際光的光譜進行比較來校準OES。