[發(fā)明專利]固體攝像裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910159688.0 | 申請日: | 2019-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN110828491A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 板橋康 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
實(shí)施方式提供一種能夠減小分光特性的波動的固體攝像裝置。實(shí)施方式的固體攝像裝置具備:基板;像素,設(shè)置在上述基板的表面;第1布線層,設(shè)置在上述基板之上,具有與上述像素對置的第1開口;第2布線層,設(shè)置在上述第1布線層之上,具有與上述第1開口對置的第2開口;以及絕緣膜,將上述像素、上述第1布線層及上述第2布線層覆蓋,具有設(shè)置在與上述第2開口對置的區(qū)域的多個(gè)凹部。上述第2開口的邊緣與上述第1開口的邊緣相比向遠(yuǎn)離上述第1開口的中心的方向后退。上述凹部具有圓形狀的開口和有曲率的凹面,配置在比上述第2開口的上述邊緣靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域。
本申請基于日本專利申請2018-152303號(申請日:2018年8月13日)主張優(yōu)先權(quán),這里引用其全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施方式主要涉及固體攝像裝置。
背景技術(shù)
在固體攝像裝置中,已知由于向光電轉(zhuǎn)換元件(像素)直接入射的光與由保護(hù)膜反射的光的干涉,而在分光特性中發(fā)生波動的現(xiàn)象。該波動成為產(chǎn)生圖像的不均勻的原因。此外,做出了通過在保護(hù)膜上形成凹陷來減少波動的提案。
發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方式提供一種能夠減少分光特性中的波動的固體攝像裝置。
技術(shù)方案的固體攝像裝置具備:基板;像素,設(shè)置在上述基板的表面;第1布線層,設(shè)置在上述基板之上,具有與上述像素對置的第1開口;第2布線層,設(shè)置在上述第1布線層之上,具有與上述第1開口對置的第2開口;以及絕緣膜,將上述像素、上述第1布線層及上述第2布線層覆蓋,具有設(shè)置在與上述第2開口對置的區(qū)域的多個(gè)凹部。上述第2開口的邊緣與上述第1開口的邊緣相比向遠(yuǎn)離上述第1開口的中心的方向后退。上述凹部具有圓形狀的開口和有曲率的凹面,配置在比上述第2開口的上述邊緣靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域。
附圖說明
圖1是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意剖視圖。
圖2是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意平面圖。
圖3是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意平面圖。
圖4是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意剖視圖。
圖5是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意平面圖。
圖6是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意剖視圖。
圖7是實(shí)施方式的固體攝像裝置的示意平面圖。
圖8是表示實(shí)施方式的固體攝像裝置的凹部的形成方法的示意平面圖。
圖9是表示分光特性的波動量與凹部的面積的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外,在各圖中,對于相同的要素賦予相同的標(biāo)號。
圖1是第1實(shí)施方式的固體攝像裝置1的示意剖視圖。
圖2是第1實(shí)施方式的固體攝像裝置1的示意平面圖。
圖3是在圖2中將絕緣膜50去除的示意平面圖。
固體攝像裝置1具有基板10、設(shè)置在基板10的表面的像素11、電荷轉(zhuǎn)送晶體管20、第1布線層30、第2布線層40和絕緣膜50。
設(shè)與基板10的表面平行且相互正交的兩方向?yàn)閄方向及Y方向。設(shè)與X方向及Y方向正交的方向?yàn)閆方向。圖1是沿著圖2的X方向的剖視圖。
像素11包括光電轉(zhuǎn)換部。基板10例如是硅基板。像素11例如包含N型硅與P型硅的PN結(jié)。固體攝像裝置1例如是線性傳感器,如圖3所示,多個(gè)像素11具有在Y方向上排列的像素列。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





