[發(fā)明專(zhuān)利]固體攝像裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910159550.0
• 申請(qǐng)日: 2019-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110911426A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 那須勇人;板橋康
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙

實(shí)施方式提供一種即使不設(shè)置阻擋金屬膜也能夠使布線層抵抗應(yīng)力的固體攝像裝置。實(shí)施方式的固體攝像裝置具備：襯底；像素，設(shè)置在所述襯底的表面；多個(gè)布線層，設(shè)置在所述襯底之上，包括第一布線層和設(shè)置在所述第一布線層之上的第二布線層；絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)布線層之間；阻擋金屬膜，設(shè)置在所述第一布線層的表面，并且，未設(shè)置在所述第二布線層的表面；以及多個(gè)插塞，設(shè)置在所述第一布線層和所述第二布線層之間，將所述第一布線層和所述第二布線層連接。所述多個(gè)插塞沿著所述第二布線層的長(zhǎng)度方向以200μm以下的間隔進(jìn)行配置。

相關(guān)申請(qǐng)：

本申請(qǐng)以日本專(zhuān)利申請(qǐng)2018－173795號(hào)(申請(qǐng)日為2018年9月18日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)要求其優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參考該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式主要涉及一種固體攝像裝置。

背景技術(shù)

已經(jīng)提出有在固體攝像裝置中為了抑制暗電流而不在布線上設(shè)置阻擋金屬的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種即使不設(shè)置阻擋金屬膜也能夠使布線層抵抗應(yīng)力的固體攝像裝置。

實(shí)施方式的固體攝像裝置具備：襯底；像素，設(shè)置在所述襯底的表面；多個(gè)布線層，設(shè)置在所述襯底之上，包括第一布線層和設(shè)置在所述第一布線層之上的第二布線層；絕緣層，設(shè)置在所述多個(gè)布線層之間；阻擋金屬膜(barrier metal film)，設(shè)置在所述第一布線層的表面，并且，未設(shè)置在所述第二布線層的表面；以及多個(gè)插塞(plug)，設(shè)置在所述第一布線層和所述第二布線層之間，將所述第一布線層和所述第二布線層連接。所述多個(gè)插塞沿著所述第二布線層的長(zhǎng)度方向以200μm以下的間隔進(jìn)行配置。

附圖說(shuō)明

圖1A是實(shí)施方式的固體攝像裝置的模式剖視圖，圖1B是實(shí)施方式的固體攝像裝置的布線層的模式俯視圖。

圖2是實(shí)施方式的固體攝像裝置的模式剖視圖。

圖3A～圖3C是實(shí)施方式的固體攝像裝置的布線層的模式俯視圖。

圖4是比較例的固體攝像裝置的模式剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。再有，在各附圖中，對(duì)相同要素標(biāo)注相同符號(hào)。

圖1A是實(shí)施方式的固體攝像裝置的模式剖視圖，圖1B是實(shí)施方式的固體攝像裝置的布線層的模式俯視圖。

實(shí)施方式的固體攝像裝置具有襯底10、設(shè)置在襯底10的表面的像素11、多個(gè)布線層21、22、多個(gè)插塞51、52、以及絕緣層40。多個(gè)布線層21、22、多個(gè)插塞51、52以及絕緣層40設(shè)置在襯底10之上。

像素11包括光電轉(zhuǎn)換部。襯底10例如是硅襯底。像素11包括例如N型硅與P型硅的PN結(jié)。實(shí)施方式的固體攝像裝置例如是線性傳感器，具有在單方向上排列有多個(gè)像素11的像素列。

在襯底10的表面設(shè)置有絕緣膜12。絕緣膜12例如是氧化硅膜。在鄰近像素11的區(qū)域的絕緣膜12上設(shè)置有電荷傳輸用的柵電極13。

布線層21設(shè)置在比柵電極13靠上的層中。布線層21包括通過(guò)插塞51而與柵電極13電連接的布線層。插塞51設(shè)置在柵電極13與布線層21之間。

在比布線層21靠上的層中設(shè)置有布線層22。在圖1B所示的例子中，布線層21和布線層22在與襯底10的表面平行的面內(nèi)相互交叉。

在布線層21和布線層22之間設(shè)置有多個(gè)插塞52。插塞52將布線層21和布線層22電連接。

在布線層21的表面(上表面和下表面)上設(shè)置有阻擋金屬膜31。在布線層22的表面未設(shè)置阻擋金屬膜。