[發明專利]靶材的制備方法

在審

• 申請號: 201910156411.2
• 申請日: 2019-03-01
• 公開（公告）號: CN111636052A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;馬國成
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C27/06;B22F3/15
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種靶材的制備方法，包括：提供鉻粉、鉭粉和鈦粉的混合粉；將所述混合粉放入包套中進行裝模；將裝模后的所述混合粉進行熱等靜壓工藝。將所述混合粉放入包套中進行裝模，避免后續的所有加工工藝當中，所述混合粉與外界接觸的機會，減少所述混合粉中的金屬元素被氧化的可能性，從而減少靶材當中的含氧量，從而減小所生產出的靶材內部缺陷；使用熱等靜壓工藝將所述混合粉燒結成為鉻鉭鈦合金，減少了硬脆性質的中間相合金的生成，提高了機加工性能。

技術領域

本發明涉及半導體濺射靶材領域，特別涉及一種靶材的制備方法。

背景技術

磁記錄是利用磁的性質進行信息的記錄的方式，在存儲和使用的時候通過特殊的方法進行信息的輸入和讀出，從而達到存儲信息和讀出信息的目的；采用垂直磁記錄技術，硬盤的面密度與容量呈現了快速的增長。然而實現記錄數據的硬盤介質中采用多層垂直結構設計，具體包括潤滑層，保護層，磁性記錄層，中間層，軟磁襯底層，襯底層及基底層；鉻鉭鈦合金濺射靶材主要用于襯底層薄膜濺射，起到粘結基底層與軟磁襯底層的過渡中間層，利于軟磁襯底層生長；硬盤介質中多層結構通常由相應的靶材沉積而成，磁記錄靶材就主要用于制備垂直結構中的多層薄膜，因此磁記錄介質材料尤為重要。在實現記錄數據的硬盤介質中，一般通過鉻鉭鈦合金濺射靶材薄膜濺射而成，以利于軟磁襯底層生長，從而鉻鉭鈦合金濺射靶材的性能至關重要。

現有技術中，所制備出的鉻鉭鈦合金濺射靶材一般通過熱壓法或真空熔煉法制備而成，所制備出的鉻鉭鈦合金濺射靶材成分不均勻并夾雜氣孔等缺陷，機加工性能差，影響所述鉻鉭鈦靶材的應用。

因此，需提供一種方法提高所制備出的靶材成分的均勻性，減少靶材內部的缺陷，提高靶材的機加工性能。

發明內容

本發明解決的問題是提高所制備出的鉻鉭鈦合金靶材內部的均勻性，減少靶材內部的缺陷，改善靶材的機加工性能。

為解決上述問題，本發明提供一種靶材的制備方法，包括：提供鉻粉、鉭粉和鈦粉的混合粉；將所述混合粉放入包套中進行裝模；將裝模后的所述混合粉進行熱等靜壓工藝。

可選的，提供鉻粉、鉭粉和鈦粉的混合粉；將所述混合粉放入包套中進行裝模；將裝模后的所述混合粉進行熱等靜壓工藝。

可選的，提供鉻粉、鉭粉和鈦粉的混合粉之前，還包括：提供V型混粉機，將所述鉻粉、鉭粉和鈦粉放入所述V型混粉機進行混粉工藝。

可選的，所述混合粉中，鉻元素原子百分比為54.5％-55.5％，鉭元素原子百分比為19.5％-20.5％，鈦元素原子百分比為24.5％-25.5％。

可選的，所述混粉工藝中，通入惰性氣體進行保護，壓強為0.02Mpa-0.06Mpa，混粉速度為6r/min-15r/min，混粉時間為20h-25h。

可選的，所述包套為不銹鋼或碳鋼包套。

可選的，將所述混合粉放入包套中進行裝模后，還包括：將所述包套內部的所述混合粉夯實。

可選的，所述混合粉進行熱等靜壓工藝之前，還包括：將所述將裝模后的所述混合粉進行脫氣工藝。

可選的，所述脫氣工藝溫度為300℃-600℃，保溫時間4h-8h，所述包套內真空度達到5.0E-3Mpa后停止脫氣。

可選的，所述熱等靜壓燒結工藝為冷態增壓燒結，包括：將脫氣后的所述混合粉進行預燒結；將預燒結后的所述混合粉進行熱燒結工藝。

可選的，所述預燒結工藝為300℃-700℃，保溫時間為1h-2h。

可選的，所述熱燒結工藝溫度為800℃-1500℃，保溫時間為3h-6h。

可選的，所述熱燒結工藝中壓強為90Mpa-170Mpa。