[發明專利]晶硅PERC太陽電池雙面鈍化方法在審
| 申請號： | 201910154712.1 | 申請日： | 2019-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN109888057A | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發明（設計）人： | 劉娟 | 申請（專利權）人： | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體硅片 薄膜 鈍化效果 雙面鈍化 太陽能光伏電池片 晶硅太陽能電池 晶體硅太陽電池 光電轉換效率 太陽能電池 表面鈍化 開路電壓 刻蝕拋光 氧化工藝 雙面鍍 氧化鋁 鈍化 晶硅 制絨 擴散 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法，適用于晶體硅片，該晶體硅片經過制絨、擴散、刻蝕拋光和氧化工藝，其特征在于，該方法包括：鈍化時，于該晶體硅片的雙面鍍AlOX薄膜，AlOX薄膜對該晶體硅片進行表面鈍化，再于該AlOX薄膜上鍍SiOX薄膜。
2.根據權利要求1所述的PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法，其特征在于，該AlOX薄膜的厚度范圍為2-10nm。
3.根據權利要求1所述的PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法，其特征在于，該SiOX薄膜的厚度范圍為2-5nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
