[發明專利]晶硅PERC太陽電池雙面鈍化方法在審
| 申請號: | 201910154712.1 | 申請日: | 2019-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN109888057A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 劉娟 | 申請(專利權)人: | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體硅片 薄膜 鈍化效果 雙面鈍化 太陽能光伏電池片 晶硅太陽能電池 晶體硅太陽電池 光電轉換效率 太陽能電池 表面鈍化 開路電壓 刻蝕拋光 氧化工藝 雙面鍍 氧化鋁 鈍化 晶硅 制絨 擴散 制造 | ||
本發明提供一種PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法,涉及太陽能電池制造領域,該晶體硅片經過制絨、擴散、刻蝕拋光和氧化工藝,其特征在于,該方法包括:鈍化時,于該晶體硅片的雙面鍍AlOX薄膜,AlOX薄膜對該晶體硅片進行表面鈍化,再于該AlOX薄膜上鍍SiOX薄膜。其中,該AlOX厚度范圍為2?10nm,SiOX薄膜厚度為2?5nm,本發明提高了氧化鋁鈍化效果,鈍化效果好、晶體硅太陽電池開路電壓高,同時有效提高了太陽能光伏電池片的光電轉換效率。
技術領域
本發明涉及晶硅太陽能光伏技術領域,尤其涉及PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法。
背景技術
太陽能電池主要是以半導體材料為基礎,其工作原理是利用光電材料吸收 光能后發生光電轉換反應,給予一定照度的光照即可輸出電壓,在有回路的情況下產生電流;根據所用材料的不同,太陽能電池可分為:硅太陽能電池、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池、功能高分子材料制備的太陽能電池以及納米晶太陽能電池等。
近年來,PERC電池片雙面鍍氧化鋁納米鈍化膜廣泛應用于晶硅太陽能光伏行業,其主要目的是對晶體硅片表面進行鈍化作用,而且背面氧化鋁對晶硅有正向場鈍化反應,一方面降低表面復合速率,一方面提高有效少子數量。一般的鈍化方法為晶體硅片經過制絨,擴散,刻蝕拋光,氧化后進行電池片背面或者雙面氧化鋁鍍膜再進行正背面氮化硅鍍膜處理。但是,由于納米級氧化鋁化學性質比較活躍,且對水分具有吸潮作用,容易導致氧化鋁鈍化效果不佳,晶體硅太陽電池開路電壓降低等弊端,進而導致太陽能光伏電池片的光電轉換效率大大降低。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的是解決上述現有技術的不足,提供一種保護電池片上的氧化鋁鍍膜的雙面鈍化方法。
本發明解決上述現有技術的不足所采用的技術方案是:一種PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法,適用于晶體硅片,該晶體硅片經過制絨、擴散、刻蝕拋光和氧化工藝,其特征在于,該方法包括:鈍化時,于該晶體硅片的雙面鍍AlOX薄膜,AlOX薄膜對該晶體硅片進行表面鈍化,再于該AlOX薄膜上鍍SiOX薄膜。
特別地,該AlOX薄膜的厚度范圍為2-10nm。
特別地,該SiOX薄膜的厚度范圍為2-5nm。
相較于現有技術,本發明的PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法,在氧化鋁外面鍍上納米級氧化硅,對氧化鋁起到很好的保護作用,并且納米級氧化硅具有量子隧穿效應,從而提高了氧化鋁鈍化效果,避免了納米級氧化鋁化學性質比較活躍,且對水分具有吸潮作用而帶來的鈍化效果差、晶體硅太陽電池開路電壓低等弊端,有效提高了太陽能光伏電池片的光電轉換效率。
附圖說明
圖1是本發明PERC晶硅太陽能電池片雙面鈍化方法的產品示意圖。
具體實施方式
以下描述用于揭露本發明以使本領域技術人員能夠實現本發明。以下描述中的優選實施例只作為舉例,本領域技術人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本發明的基本原理可以應用于其他實施方案、變形方案、改進方案、等同方案以及沒有背離本發明的精神和范圍的其他技術方案。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州潤陽光伏科技有限公司,未經蘇州潤陽光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910154712.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:利用冷封裝制造長壽命輕薄光伏組件的方法
- 下一篇:一種太陽能電池及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





