[發(fā)明專利]一種清洗晶振片的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910151737.6
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN111627795A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐義;劉曉兵
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 覃婧嬋

本發(fā)明提供一種清洗晶振片的方法，用以避免晶振片與濃堿性試劑反應(yīng)導(dǎo)致晶振片損壞的問題，從而提高晶振片的清洗效果。所述清洗晶振片的方法，該方法包括：提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜層；對所述待清洗晶振片進(jìn)行氧化處理，使所述第一膜層被氧化成第二膜層；采用酸性溶液清除所述第二膜層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶振片的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種清洗晶振片的方法。

背景技術(shù)

石英晶振片是用來測量薄膜沉積速率的關(guān)鍵測量器件，在使用過程中石英晶振片的表面會(huì)逐漸附著鍍層。由于石英晶振片成本較高，一般會(huì)對石英晶振片進(jìn)行重復(fù)利用，因此需要將使用過的石英晶振片進(jìn)行清洗。

但是現(xiàn)有的化學(xué)藥劑清洗技術(shù)，需要使用強(qiáng)酸和強(qiáng)堿分別反應(yīng)方可完成清洗，清洗過程復(fù)雜，且石英晶振的主要成分氧化硅，其與濃堿性試劑存在反應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)，清洗過程中可能會(huì)被逐漸腐蝕，導(dǎo)致晶振損壞。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種清洗晶振片的方法，用以避免晶振片與濃堿性試劑反應(yīng)導(dǎo)致晶振片損壞的問題，從而提高晶振片的清洗效果。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種清洗晶振片的方法，該方法包括：

提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜層；

對所述待清洗晶振片進(jìn)行氧化處理，使所述第一膜層被氧化成第二膜層；

采用酸性溶液清除所述第二膜層。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，對所述待清洗晶振片進(jìn)行氧化處理之前，該方法還包括：

加熱所述待清洗晶振片，清除所述第一膜層中的非金屬單質(zhì)和/或部分金屬單質(zhì)。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述加熱所述待清洗晶振片，包括：

將所述待清洗晶振片放置在密閉真空環(huán)境中或密閉惰性氣體環(huán)境中，加熱所述待清洗晶振片。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述非金屬單質(zhì)包括硒；所述金屬單質(zhì)包括銅、銦、鎵中的至少一種。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，對所述待清洗晶振片進(jìn)行氧化處理，包括：

將所述待清洗晶振片放置在密閉環(huán)境中并通入氧氣，加熱所述待清洗晶振片。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述第二膜層包括：銅、銦、鎵以及硒的氧化物中的至少一種。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜層，包括：

將所述待清洗晶振片放置在酸性溶液中，加熱所述酸性溶液，使所述第二膜層與所述酸性溶液反應(yīng)。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酸性溶液清除所述第二膜層，還包括：

將所述酸性溶液放置在超聲波清洗機(jī)中；和/或

在所述酸性溶液中通入CDA。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，所述采用酸性溶液清除所述第二膜層之后，該方法還包括：

采用清水清洗所述待清洗晶振片；

采用酒精清洗所述待清洗晶振片。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述清洗晶振片的方法中，采用酒精清洗所述待清洗晶振片之后，該方法還包括：

烘干所述待清洗晶振片。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果：