[發明專利]一種清洗晶振片的方法在審
| 申請號： | 201910151737.6 | 申請日： | 2019-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN111627795A | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發明（設計）人： | 徐義;劉曉兵 | 申請（專利權）人： | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧嬋 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 清洗 晶振片 方法 | ||
1.一種清洗晶振片的方法，其特征在于，該方法包括：
提供一待清洗晶振片，所述待清洗晶振片包括晶振片和位于所述晶振片表面的第一膜層；
對所述待清洗晶振片進行氧化處理，使所述第一膜層被氧化成第二膜層；
采用酸性溶液清除所述第二膜層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述待清洗晶振片進行氧化處理之前，該方法還包括：
加熱所述待清洗晶振片，清除所述第一膜層中的非金屬單質和/或部分金屬單質。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述加熱所述待清洗晶振片，包括：
將所述待清洗晶振片放置在密閉真空環境中或密閉惰性氣體環境中，加熱所述待清洗晶振片。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述非金屬單質包括硒；所述金屬單質包括銅、銦、鎵中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述待清洗晶振片進行氧化處理，包括：
將所述待清洗晶振片放置在密閉環境中并通入氧氣，加熱所述待清洗晶振片。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜層包括銅、銦、鎵以及硒的氧化物中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用酸性溶液清除所述第二膜層，包括：
將所述待清洗晶振片放置在酸性溶液中，加熱所述酸性溶液，使所述第二膜層與所述酸性溶液反應。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，采用酸性溶液清除所述第二膜層，還包括：
將所述酸性溶液放置在超聲波清洗機中；和/或
在所述酸性溶液中通入CDA。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用酸性溶液清除所述第二膜層之后，該方法還包括：
采用清水清洗所述待清洗晶振片；
采用酒精清洗所述待清洗晶振片。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，采用酒精清洗所述待清洗晶振片之后，該方法還包括：
烘干所述待清洗晶振片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
