[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910151043.2
• 申請日: 2019-02-28
• 公開（公告）號: CN109860109A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設計）人: 胡泉;李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，該薄膜晶體管的制作方法包括：提供基板；在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成圖案化的第一非晶硅層，第一非晶硅層包括多個間隔設置的分隔體；在形成有第一非晶硅層的緩沖層上形成第二非晶硅層；采用準分子鐳射退火對第一非晶硅層和第二非晶硅層進行處理，以形成對應的第一多晶硅層和第二多晶硅層。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)非晶硅層經(jīng)準分子鐳射退火形成多晶硅層時的定點結(jié)晶，有利于增大晶粒，減少晶界，大幅度改善準分子鐳射退火結(jié)晶的均一性，進而能夠改善開關TFT和驅(qū)動TFT的電性均一性，提升LTPS?TFT的良率。

【技術領域】

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板。

【背景技術】

在傳統(tǒng)的LTPS-TFT(Low Temperature Poly-SiThin Film Transistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)制作過程中，會在玻璃基板上連續(xù)沉積緩沖層(SiNx和SiOx)和a-Si(amorphous silicon，非晶硅)層，接著利用ELA(Excimer Laser Anneal，準分子鐳射退火)對a-Si層進行退火結(jié)晶形成LTPS。

但是這種結(jié)晶方法為整面性結(jié)晶，沒有固定的結(jié)晶方向，得到的晶粒均一性不夠好，且晶粒偏小，晶界較多，會影響載流子的遷移率和TFT器件的漏電流，導致開關TFT和驅(qū)動TFT的電性均一性較差，從而直接影響OLED器件的發(fā)光特性，嚴重影響LTPS-TFT的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

本申請的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，以實現(xiàn)非晶硅層經(jīng)準分子鐳射退火形成多晶硅層時的定點結(jié)晶，有利于增大晶粒，減少晶界，大幅度改善準分子鐳射退火結(jié)晶的均一性，進而能夠改善開關TFT和驅(qū)動TFT的電性均一性，提升LTPS-TFT的良率。

為了解決上述問題，本申請實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管的制作方法包括：提供基板；在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成圖案化的第一非晶硅層，第一非晶硅層包括多個間隔設置的分隔體；在形成有第一非晶硅層的緩沖層上形成第二非晶硅層；采用準分子鐳射退火對第一非晶硅層和第二非晶硅層進行處理，以形成對應的第一多晶硅層和第二多晶硅層。

其中，在采用準分子鐳射退火對第一非晶硅層和第二非晶硅層進行處理，以形成對應的第一多晶硅層和第二多晶硅層的步驟之后，還包括：對第二多晶硅層進行摻雜，形成溝道區(qū)和位于溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)，其中，溝道區(qū)位于分隔體上，且溝道區(qū)在基板上的投影區(qū)域與分隔體在基板上的投影區(qū)域重疊。

其中，對第二多晶硅層進行摻雜，形成溝道區(qū)和位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)的步驟，具體包括：在第二多晶硅層上形成柵絕緣層；經(jīng)過柵絕緣層對第二多晶硅層進行離子注入，形成溝道區(qū)和摻雜區(qū)。

其中，在形成溝道區(qū)和摻雜區(qū)的步驟之后，還包括：在柵絕緣層上形成柵極，柵極位于溝道區(qū)的上方，且柵極在基板上的投影區(qū)域與摻雜區(qū)在基板上的投影區(qū)域部分重疊；在形成有柵極的柵絕緣層上形成介電層；在介電層上形成源漏極層，源漏極層包括源極和漏極，源極和漏極相對設置于溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)的上方。

其中，在緩沖層上形成圖案化的第一非晶硅層的步驟，具體包括：在緩沖層上沉積第一非晶硅層；通過刻蝕將第一非晶硅層分割成多個間隔設置的分隔體。

其中，分隔體的厚度與第二非晶硅層的厚度之比為0.1～0.25。

為了解決上述問題，本申請實施例還提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：基板；緩沖層，緩沖層設置于基板上；圖案化的第一多晶硅層，第一多晶硅層設置于緩沖層上，第一多晶硅層包括多個間隔設置的分隔體；第二多晶硅層，第二多晶硅層設置于緩沖層上，且覆蓋第一多晶硅層。

其中，第二多晶硅層包括溝道區(qū)和位于溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)，其中，溝道區(qū)位于分隔體上，且溝道區(qū)在基板上的投影區(qū)域與分隔體在基板上的投影區(qū)域重疊。